CAJ | 학술논문

对等离子增强化学气相沉积技术(PECVD)低温制备的非晶硅(a-Si)薄膜的电导率随B掺杂浓度的变化规律进行了研究.结果表明:当B2H6/SiH4由0.6 %增加到0.8 %时,a-Si薄膜的暗电导率由10-5(Ω*cm)-1急剧增加到10-1(Ω*cm)-1;进一步增加B2H6/SiH4时,暗电导率增加缓慢;当B2H6/SiH4大于1.0 %时,暗电导率急剧下降.对B2H6/SiH4为1.0 %及1.2 %的P层材料制备的太阳电池的研究结果表明:采用B2H6/SiH4为1.2 %的光电转换效率优于1.0 %.
대등리자증강화학기상침적기술(PECVD)저온제비적비정규(a-Si)박막적전도솔수B참잡농도적변화규률진행료연구.결과표명:당B2H6/SiH4유0.6 %증가도0.8 %시,a-Si박막적암전도솔유10-5(Ω*cm)-1급극증가도10-1(Ω*cm)-1;진일보증가B2H6/SiH4시,암전도솔증가완만;당B2H6/SiH4대우1.0 %시,암전도솔급극하강.대B2H6/SiH4위1.0 %급1.2 %적P층재료제비적태양전지적연구결과표명:채용B2H6/SiH4위1.2 %적광전전환효솔우우1.0 %.