50nm X射线光刻掩模制备关键技术
50nm X사선광각엄모제비관건기술
Key technology of mask making for 50 nm X-ray lithography
  • 万方数据
    核技术 핵기술
    NUCLEAR TECHNIQUES
    2004年 2期 96-98 ,共3页

    董立军%陈大鹏%谢常青%韩敬东%叶甜春%伊福廷%彭良强%韩勇%张菊芳

    동립군%진대붕%사상청%한경동%협첨춘%이복정%팽량강%한용%장국방

    X射线光刻%掩模%金刚石%吸收体%键合 X射線光刻%掩模%金剛石%吸收體%鍵閤
    X사선광각%엄모%금강석%흡수체%건합
    X射线光刻(XRL)采用约lnm波长的X射线,是一种接近式光刻.就光刻工艺性能而言,XRL能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等,是其他光刻手段难以比拟的.由于不需要辅助工艺,因而工艺成本很低.掩模制造技术是XRL开发中最为困难的部分.本文介绍了适用于50nm XRL的掩模制备的关键技术.
    X사선광각(XRL)채용약lnm파장적X사선,시일충접근식광각.취광각공예성능이언,XRL능동시실현고분변솔、대초심、대상장등,시기타광각수단난이비의적.유우불수요보조공예,인이공예성본흔저.엄모제조기술시XRL개발중최위곤난적부분.본문개소료괄용우50nm XRL적엄모제비적관건기술.
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