半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
2期
133-136
,共4页
张娟%柴常春%杨银堂%徐俊平
張娟%柴常春%楊銀堂%徐俊平
장연%시상춘%양은당%서준평
6H-碳化硅%4H-碳化硅%功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
6H-碳化硅%4H-碳化硅%功率縱嚮雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管
6H-탄화규%4H-탄화규%공솔종향쌍확산금속양화물반도체장효응정체관
采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性.结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7 V左右.对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明,4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件.此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极电流增大.
採用二維器件模擬器ISE TCAD 7.0,對比研究瞭6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性.結果錶明,在Vgs為8 V時,4H-SiC VDMOS的漏極電流比6H-SiC高約1.5倍,證實瞭4H-SiC具有較高的體遷移率,且受準飽和效應的影響較小,因此比6H-SiC器件具有更高的飽和電流密度,而兩種器件的閾值電壓基本相同,均為7 V左右.對器件開關時間和單位麵積損耗的分析錶明,4H-SiC比6H-SiC更適閤用于VDMOS功率器件.此外,還研究瞭溝道長度對器件漏極飽和電流的影響,結果錶明,隨著溝道長度的減小,器件的漏極電流增大.
채용이유기건모의기ISE TCAD 7.0,대비연구료6H-SiC화4H-SiC VDMOS적기본특성.결과표명,재Vgs위8 V시,4H-SiC VDMOS적루겁전류비6H-SiC고약1.5배,증실료4H-SiC구유교고적체천이솔,차수준포화효응적영향교소,인차비6H-SiC기건구유경고적포화전류밀도,이량충기건적역치전압기본상동,균위7 V좌우.대기건개관시간화단위면적손모적분석표명,4H-SiC비6H-SiC경괄합용우VDMOS공솔기건.차외,환연구료구도장도대기건루겁포화전류적영향,결과표명,수착구도장도적감소,기건적루겁전류증대.
