半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
5期
692-695
,共4页
电沉积%硫化镉纳米膜%光学性质
電沉積%硫化鎘納米膜%光學性質
전침적%류화력납미막%광학성질
采用电沉积方法,在表面活性剂/电解液界面制备了硫化镉纳米膜,考察了样品的表观形貌及光学性质.原子力显微镜(AFM)及透射电镜(TEM)测试表明,纳米膜由粒径为33 nm左右的球形颗粒组成;X_射线光电子能谱测试表明,纳米膜由硫化镉和金属镉组成;用椭圆偏振仪测试样品在不同波长下的复折射率、复介电常数,并计算得出硫化镉纳米膜的平均厚度为190 nm;用Z-扫描方法硫化镉纳米膜的非线性折射性质,计算得出硫化镉纳米膜的非线性折射系数为5.06×10-6cm2/kW;荧光光谱测试表明,硫化镉纳米膜具有光致发光性能.
採用電沉積方法,在錶麵活性劑/電解液界麵製備瞭硫化鎘納米膜,攷察瞭樣品的錶觀形貌及光學性質.原子力顯微鏡(AFM)及透射電鏡(TEM)測試錶明,納米膜由粒徑為33 nm左右的毬形顆粒組成;X_射線光電子能譜測試錶明,納米膜由硫化鎘和金屬鎘組成;用橢圓偏振儀測試樣品在不同波長下的複摺射率、複介電常數,併計算得齣硫化鎘納米膜的平均厚度為190 nm;用Z-掃描方法硫化鎘納米膜的非線性摺射性質,計算得齣硫化鎘納米膜的非線性摺射繫數為5.06×10-6cm2/kW;熒光光譜測試錶明,硫化鎘納米膜具有光緻髮光性能.
채용전침적방법,재표면활성제/전해액계면제비료류화력납미막,고찰료양품적표관형모급광학성질.원자력현미경(AFM)급투사전경(TEM)측시표명,납미막유립경위33 nm좌우적구형과립조성;X_사선광전자능보측시표명,납미막유류화력화금속력조성;용타원편진의측시양품재불동파장하적복절사솔、복개전상수,병계산득출류화력납미막적평균후도위190 nm;용Z-소묘방법류화력납미막적비선성절사성질,계산득출류화력납미막적비선성절사계수위5.06×10-6cm2/kW;형광광보측시표명,류화력납미막구유광치발광성능.
