发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2010年
3期
359-363
,共5页
钟泽%孙利杰%徐小秋%陈小庆%邬小鹏%傅竹西
鐘澤%孫利傑%徐小鞦%陳小慶%鄔小鵬%傅竹西
종택%손리걸%서소추%진소경%오소붕%부죽서
氧化锌%薄膜%退火%光致发光%MOCVD
氧化鋅%薄膜%退火%光緻髮光%MOCVD
양화자%박막%퇴화%광치발광%MOCVD
以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜.对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1 000,1 100℃.利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究.研究表明:(1)随着退火温度的升高,样品的结晶性质也逐渐提高,从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大;(2)当退火温度从900℃升高至1 000℃时,样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱,而紫外波段的发光强度明显增强;当退火温度升高至1 100℃时,可见光波段的发光几乎完全被抑制,而紫外波段的发光强度急剧增强.分析认为,高温退火改善晶体结晶质量的同时调制了样品的Zn/O比,氮气气氛下的热处理使得样品内的氧原子逸出,来自受主缺陷Ozn的可见发射随温度升高逐渐减弱,而当退火温度达到1 000℃以上时样品成为富锌状态,此时与施主缺陷Zni有关的紫外发射急剧增强.
以二乙基鋅和水汽分彆作為鋅源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)襯底上生長瞭單一取嚮的ZnO薄膜.對得到的樣品在氮氣氣氛中進行高溫熱處理,退火溫度分彆為900,1 000,1 100℃.利用室溫PL譜、XRD、AFM、XPS等方法對樣品的性質進行瞭研究.研究錶明:(1)隨著退火溫度的升高,樣品的結晶性質也逐漸提高,從錶麵形貌觀察到晶粒呎吋逐漸增大;(2)噹退火溫度從900℃升高至1 000℃時,樣品的光緻髮光譜中可見光波段的髮光彊度有所減弱,而紫外波段的髮光彊度明顯增彊;噹退火溫度升高至1 100℃時,可見光波段的髮光幾乎完全被抑製,而紫外波段的髮光彊度急劇增彊.分析認為,高溫退火改善晶體結晶質量的同時調製瞭樣品的Zn/O比,氮氣氣氛下的熱處理使得樣品內的氧原子逸齣,來自受主缺陷Ozn的可見髮射隨溫度升高逐漸減弱,而噹退火溫度達到1 000℃以上時樣品成為富鋅狀態,此時與施主缺陷Zni有關的紫外髮射急劇增彊.
이이을기자화수기분별작위자원화양원,용LP-MOCVD방법재p형Si(100)츤저상생장료단일취향적ZnO박막.대득도적양품재담기기분중진행고온열처리,퇴화온도분별위900,1 000,1 100℃.이용실온PL보、XRD、AFM、XPS등방법대양품적성질진행료연구.연구표명:(1)수착퇴화온도적승고,양품적결정성질야축점제고,종표면형모관찰도정립척촌축점증대;(2)당퇴화온도종900℃승고지1 000℃시,양품적광치발광보중가견광파단적발광강도유소감약,이자외파단적발광강도명현증강;당퇴화온도승고지1 100℃시,가견광파단적발광궤호완전피억제,이자외파단적발광강도급극증강.분석인위,고온퇴화개선정체결정질량적동시조제료양품적Zn/O비,담기기분하적열처리사득양품내적양원자일출,래자수주결함Ozn적가견발사수온도승고축점감약,이당퇴화온도체도1 000℃이상시양품성위부자상태,차시여시주결함Zni유관적자외발사급극증강.
