微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
10期
589-594
,共6页
石墨烯%石墨烯纳米带(GNR)%场效应管(FET)%单电子晶体管(SET)%纳米电子机械系统(NEMS)
石墨烯%石墨烯納米帶(GNR)%場效應管(FET)%單電子晶體管(SET)%納米電子機械繫統(NEMS)
석묵희%석묵희납미대(GNR)%장효응관(FET)%단전자정체관(SET)%납미전자궤계계통(NEMS)
综述了石墨烯晶体的能带结构和独特的电子性质,如双极性电场效应、单双层石墨烯效应、衬底效应、石墨烯纳米带(GNR)带隙等特殊效应的研究现状.介绍了石墨剥落技术、外延生长和化学气相淀积(CVD)等石墨烯材料的制备以及表征方法.列举了石墨烯在电子、显示、太阳电池、传感器和氢存储等方面的应用,如在石墨烯场效应管、石墨烯纳米带场效应管(SET)、石墨烯单电子晶体管、石墨烯金属晶体管、石墨烯基纳米电子机械系统(NEMS)、石墨烯分子开关以及石墨烯基高电子迁移率晶体管(HEMT)制备方面的应用.人们已经研究出不同栅长的n/p型顶栅石墨烯场效应管(GFET),并采用标准的S参数直接表征器件的高频性能.理论和实验表明,所有石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)在室温下工作的前提是GNR的带宽尺寸小于10 nm,并具有半导体场效应管的性能.
綜述瞭石墨烯晶體的能帶結構和獨特的電子性質,如雙極性電場效應、單雙層石墨烯效應、襯底效應、石墨烯納米帶(GNR)帶隙等特殊效應的研究現狀.介紹瞭石墨剝落技術、外延生長和化學氣相澱積(CVD)等石墨烯材料的製備以及錶徵方法.列舉瞭石墨烯在電子、顯示、太暘電池、傳感器和氫存儲等方麵的應用,如在石墨烯場效應管、石墨烯納米帶場效應管(SET)、石墨烯單電子晶體管、石墨烯金屬晶體管、石墨烯基納米電子機械繫統(NEMS)、石墨烯分子開關以及石墨烯基高電子遷移率晶體管(HEMT)製備方麵的應用.人們已經研究齣不同柵長的n/p型頂柵石墨烯場效應管(GFET),併採用標準的S參數直接錶徵器件的高頻性能.理論和實驗錶明,所有石墨烯納米帶場效應管(GNRFET)在室溫下工作的前提是GNR的帶寬呎吋小于10 nm,併具有半導體場效應管的性能.
종술료석묵희정체적능대결구화독특적전자성질,여쌍겁성전장효응、단쌍층석묵희효응、츤저효응、석묵희납미대(GNR)대극등특수효응적연구현상.개소료석묵박락기술、외연생장화화학기상정적(CVD)등석묵희재료적제비이급표정방법.열거료석묵희재전자、현시、태양전지、전감기화경존저등방면적응용,여재석묵희장효응관、석묵희납미대장효응관(SET)、석묵희단전자정체관、석묵희금속정체관、석묵희기납미전자궤계계통(NEMS)、석묵희분자개관이급석묵희기고전자천이솔정체관(HEMT)제비방면적응용.인문이경연구출불동책장적n/p형정책석묵희장효응관(GFET),병채용표준적S삼수직접표정기건적고빈성능.이론화실험표명,소유석묵희납미대장효응관(GNRFET)재실온하공작적전제시GNR적대관척촌소우10 nm,병구유반도체장효응관적성능.
