应用光学
應用光學
응용광학
JOURNAL OF APPLIED OPTICS
2011年
2期
236-240
,共5页
米高园%朱昌%戚云娟%达斯坦科%格拉索夫%扎瓦斯基
米高園%硃昌%慼雲娟%達斯坦科%格拉索伕%扎瓦斯基
미고완%주창%척운연%체사탄과%격랍색부%찰와사기
氧化硅%反应离子束溅射%光学常数%沉积速率
氧化硅%反應離子束濺射%光學常數%沉積速率
양화규%반응리자속천사%광학상수%침적속솔
主要研究采用离子束反应溅射(RIBS)制备SiO2薄膜的折射率、消光系数、化学计量比与氧气在氮氧混合工作气体中含量及其沉积速率的关系.研究结果表明:RIBS制备的SiO2薄膜在0.63μm 处折射率n= 1.48,消光系数小于10(-5);随着沉积速率的增加,薄膜的折射率和消光系数随之变大,当沉积速率超过0.3 nm/s,即使是在纯氧环境溅射,折射率值也不低于1.5;通过对红外透射光谱的主吸收峰位置研究得到沉积的SiO2薄膜为缺氧型,化学计量比不超过1.8,且红外吸收峰位置和SiO2折射率存在对应关系,因此在不加热衬底情况下使用RIBS制备SiO2薄膜时,会限制沉积速率的提高.
主要研究採用離子束反應濺射(RIBS)製備SiO2薄膜的摺射率、消光繫數、化學計量比與氧氣在氮氧混閤工作氣體中含量及其沉積速率的關繫.研究結果錶明:RIBS製備的SiO2薄膜在0.63μm 處摺射率n= 1.48,消光繫數小于10(-5);隨著沉積速率的增加,薄膜的摺射率和消光繫數隨之變大,噹沉積速率超過0.3 nm/s,即使是在純氧環境濺射,摺射率值也不低于1.5;通過對紅外透射光譜的主吸收峰位置研究得到沉積的SiO2薄膜為缺氧型,化學計量比不超過1.8,且紅外吸收峰位置和SiO2摺射率存在對應關繫,因此在不加熱襯底情況下使用RIBS製備SiO2薄膜時,會限製沉積速率的提高.
주요연구채용리자속반응천사(RIBS)제비SiO2박막적절사솔、소광계수、화학계량비여양기재담양혼합공작기체중함량급기침적속솔적관계.연구결과표명:RIBS제비적SiO2박막재0.63μm 처절사솔n= 1.48,소광계수소우10(-5);수착침적속솔적증가,박막적절사솔화소광계수수지변대,당침적속솔초과0.3 nm/s,즉사시재순양배경천사,절사솔치야불저우1.5;통과대홍외투사광보적주흡수봉위치연구득도침적적SiO2박막위결양형,화학계량비불초과1.8,차홍외흡수봉위치화SiO2절사솔존재대응관계,인차재불가열츤저정황하사용RIBS제비SiO2박막시,회한제침적속솔적제고.
