电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2003年
9期
30-32
,共3页
郑丽香%莫郁薇%吴海东%张增照
鄭麗香%莫鬱薇%吳海東%張增照
정려향%막욱미%오해동%장증조
砷化镓%微波单片集成电路%失效分析
砷化鎵%微波單片集成電路%失效分析
신화가%미파단편집성전로%실효분석
通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因.
通過封裝內部氣氛、芯片顯微、能譜等分析手段對國內某研究所研製砷化鎵微波單片集成電路高溫加速壽命試驗後的樣品進行瞭失效分析,對其失效機理進行探討,得齣:封裝氣密性不好、工藝造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成國內產品質量與可靠性不如國外同類產品的重要原因.
통과봉장내부기분、심편현미、능보등분석수단대국내모연구소연제신화가미파단편집성전로고온가속수명시험후적양품진행료실효분석,대기실효궤리진행탐토,득출:봉장기밀성불호、공예조성적결함시인기실효적주요원인,야시조성국내산품질량여가고성불여국외동류산품적중요원인.
