半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
1期
52-55
,共4页
季振国%宋永梁%杨成兴%刘坤%王超%叶志镇
季振國%宋永樑%楊成興%劉坤%王超%葉誌鎮
계진국%송영량%양성흥%류곤%왕초%협지진
ZnO薄膜%光致发光%溶胶-凝胶法%旋涂
ZnO薄膜%光緻髮光%溶膠-凝膠法%鏇塗
ZnO박막%광치발광%용효-응효법%선도
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴取向生长.透射光谱表明薄膜的禁带宽度为3.28eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30eV基本相同.用光致发光谱分析了经过500～700℃热处理获得的ZnO薄膜,结果表明ZnO薄膜在室温下有较强的紫外带边发射,但当热处理温度高于700℃时,可见光波段发射明显增加.
採用溶膠-凝膠法在石英玻璃襯底上使用鏇轉塗覆技術生長瞭ZnO薄膜.對薄膜的XRD分析錶明ZnO薄膜為纖鋅礦結構併沿c軸取嚮生長.透射光譜錶明薄膜的禁帶寬度為3.28eV,與ZnO體材料的禁帶寬度3.30eV基本相同.用光緻髮光譜分析瞭經過500～700℃熱處理穫得的ZnO薄膜,結果錶明ZnO薄膜在室溫下有較彊的紫外帶邊髮射,但噹熱處理溫度高于700℃時,可見光波段髮射明顯增加.
채용용효-응효법재석영파리츤저상사용선전도복기술생장료ZnO박막.대박막적XRD분석표명ZnO박막위섬자광결구병연c축취향생장.투사광보표명박막적금대관도위3.28eV,여ZnO체재료적금대관도3.30eV기본상동.용광치발광보분석료경과500～700℃열처리획득적ZnO박막,결과표명ZnO박막재실온하유교강적자외대변발사,단당열처리온도고우700℃시,가견광파단발사명현증가.
