半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
11期
2015-2018
,共4页
徐桂芝%Hofmann W%黄亨沛%张韬%谢亮%祝宁华%Amann M C
徐桂芝%Hofmann W%黃亨沛%張韜%謝亮%祝寧華%Amann M C
서계지%Hofmann W%황형패%장도%사량%축저화%Amann M C
VCSEL%等效电路模型%S参数%模拟
VCSEL%等效電路模型%S參數%模擬
VCSEL%등효전로모형%S삼수%모의
提出了适用于一种1.55μm掩埋隧道结垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片的小信号等效电路模型.等效电路的提出是基于半导体激光器速率方程以及VCSEL芯片结构,电路中各元件都有严格的物理意义.根据实验测得芯片的反射系数及传输参数,通过小信号等效电路仿真模拟,得到电路各元件参数值.不同偏置电流下,模拟结果与实验结果吻合都非常好,证明了该等效电路的有效性.
提齣瞭適用于一種1.55μm掩埋隧道結垂直腔麵髮射激光器(VCSEL)芯片的小信號等效電路模型.等效電路的提齣是基于半導體激光器速率方程以及VCSEL芯片結構,電路中各元件都有嚴格的物理意義.根據實驗測得芯片的反射繫數及傳輸參數,通過小信號等效電路倣真模擬,得到電路各元件參數值.不同偏置電流下,模擬結果與實驗結果吻閤都非常好,證明瞭該等效電路的有效性.
제출료괄용우일충1.55μm엄매수도결수직강면발사격광기(VCSEL)심편적소신호등효전로모형.등효전로적제출시기우반도체격광기속솔방정이급VCSEL심편결구,전로중각원건도유엄격적물리의의.근거실험측득심편적반사계수급전수삼수,통과소신호등효전로방진모의,득도전로각원건삼수치.불동편치전류하,모의결과여실험결과문합도비상호,증명료해등효전로적유효성.
