电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
4期
438-441
,共4页
胡辉勇%崔晓英%张鹤鸣%宋建军%戴显英%宣荣喜
鬍輝勇%崔曉英%張鶴鳴%宋建軍%戴顯英%宣榮喜
호휘용%최효영%장학명%송건군%대현영%선영희
应变Si%PMOSFET%阈值电压%I-V特性
應變Si%PMOSFET%閾值電壓%I-V特性
응변Si%PMOSFET%역치전압%I-V특성
生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变Si PMOSTET可以得到非常好的性能.在讨论分析了应变Si PMOSFET 的结构特性和器件物理的基础上,推导泊松方程求出解析的阈值电压模型,以及电流电压特性,和跨导等电学特性参数模型,并用MATLAB进行了模拟,与参考文献取得了一致的结果.此模型作为对PMOSFET进行模拟是非常有用的工具.
生長在弛豫SiGe層上的Si產生張應變,使載流子的遷移率顯著提高,因此應變Si PMOSTET可以得到非常好的性能.在討論分析瞭應變Si PMOSFET 的結構特性和器件物理的基礎上,推導泊鬆方程求齣解析的閾值電壓模型,以及電流電壓特性,和跨導等電學特性參數模型,併用MATLAB進行瞭模擬,與參攷文獻取得瞭一緻的結果.此模型作為對PMOSFET進行模擬是非常有用的工具.
생장재이예SiGe층상적Si산생장응변,사재류자적천이솔현저제고,인차응변Si PMOSTET가이득도비상호적성능.재토론분석료응변Si PMOSFET 적결구특성화기건물리적기출상,추도박송방정구출해석적역치전압모형,이급전류전압특성,화과도등전학특성삼수모형,병용MATLAB진행료모의,여삼고문헌취득료일치적결과.차모형작위대PMOSFET진행모의시비상유용적공구.
