半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
2期
126-129,134
,共5页
周欢欢%檀柏梅%张建新%牛新环%王如%潘国峰
週歡歡%檀柏梅%張建新%牛新環%王如%潘國峰
주환환%단백매%장건신%우신배%왕여%반국봉
热电材料%Bi2Te3薄膜%磁控溅射%退火%热电性能
熱電材料%Bi2Te3薄膜%磁控濺射%退火%熱電性能
열전재료%Bi2Te3박막%자공천사%퇴화%열전성능
Bi2Te3薄膜是室温下热电性能最好的热电材料,利用磁控溅射在长有一薄层SiO2的n型硅样品上制备Bi/Te多层复合薄膜,经后续退火处理生成Bi2Te3.通过分析Bi2Te3薄膜的生长和退火工艺,探讨Bi/Te中Te的原子数分数对薄膜热电性能的影响.采用XRD和SEM对薄膜的结构、形貌和成分进行分析,并测量不同条件下的Seebeck系数.薄膜Seebeck系数均为负数,表明所制备样品是n型半导体薄膜,且最大值达到-76.81μV·K-1;电阻率ρ随Te的原子数分数增大而增大,其趋势先缓慢后迅速.Bi2Te3薄膜的热电性能良好,Te的原子数分数是60.52％时,功率因子最大,为1.765×10 -4W·K-2·m-1.
Bi2Te3薄膜是室溫下熱電性能最好的熱電材料,利用磁控濺射在長有一薄層SiO2的n型硅樣品上製備Bi/Te多層複閤薄膜,經後續退火處理生成Bi2Te3.通過分析Bi2Te3薄膜的生長和退火工藝,探討Bi/Te中Te的原子數分數對薄膜熱電性能的影響.採用XRD和SEM對薄膜的結構、形貌和成分進行分析,併測量不同條件下的Seebeck繫數.薄膜Seebeck繫數均為負數,錶明所製備樣品是n型半導體薄膜,且最大值達到-76.81μV·K-1;電阻率ρ隨Te的原子數分數增大而增大,其趨勢先緩慢後迅速.Bi2Te3薄膜的熱電性能良好,Te的原子數分數是60.52％時,功率因子最大,為1.765×10 -4W·K-2·m-1.
Bi2Te3박막시실온하열전성능최호적열전재료,이용자공천사재장유일박층SiO2적n형규양품상제비Bi/Te다층복합박막,경후속퇴화처리생성Bi2Te3.통과분석Bi2Te3박막적생장화퇴화공예,탐토Bi/Te중Te적원자수분수대박막열전성능적영향.채용XRD화SEM대박막적결구、형모화성분진행분석,병측량불동조건하적Seebeck계수.박막Seebeck계수균위부수,표명소제비양품시n형반도체박막,차최대치체도-76.81μV·K-1;전조솔ρ수Te적원자수분수증대이증대,기추세선완만후신속.Bi2Te3박막적열전성능량호,Te적원자수분수시60.52％시,공솔인자최대,위1.765×10 -4W·K-2·m-1.
