液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2006年
5期
483-490
,共8页
刘少林%邹兆一%庞春霖%付国柱%邱法斌
劉少林%鄒兆一%龐春霖%付國柱%邱法斌
류소림%추조일%방춘림%부국주%구법빈
硅薄膜%薄膜晶体管%化学气相淀积法
硅薄膜%薄膜晶體管%化學氣相澱積法
규박막%박막정체관%화학기상정적법
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制.新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高﹑原料气体利用效率高﹑衬底温度低﹑生长的薄膜致密﹑电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术.文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论.
目前有源平闆顯示領域主要採用PECVD法製備TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等離子對Si薄膜的損傷以及澱積薄膜的溫度很高的缺點,使其在製備高遷移率TFT的應用中受到瞭限製.新齣現的催化化學氣相澱積法(Cat-CVD)與PECVD法相比,具有澱積速率高﹑原料氣體利用效率高﹑襯底溫度低﹑生長的薄膜緻密﹑電學特性好等優點,將更有希望成為TFT用硅薄膜製備的新技術.文章對Cat-CVD法的工作機理及其在TFT中的應用進展進行瞭詳細總結,歸納瞭各種催化絲材料,併對噹前Cat-CVD技術研究中的不足及其以後的研究髮展進行瞭討論.
목전유원평판현시영역주요채용PECVD법제비TFT용규박막,단시유우PECVD중등리자대Si박막적손상이급정적박막적온도흔고적결점,사기재제비고천이솔TFT적응용중수도료한제.신출현적최화화학기상정적법(Cat-CVD)여PECVD법상비,구유정적속솔고﹑원료기체이용효솔고﹑츤저온도저﹑생장적박막치밀﹑전학특성호등우점,장경유희망성위TFT용규박막제비적신기술.문장대Cat-CVD법적공작궤리급기재TFT중적응용진전진행료상세총결,귀납료각충최화사재료,병대당전Cat-CVD기술연구중적불족급기이후적연구발전진행료토론.
