GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性
GaAs(110)양자정재료생장화광학특성
Optical properties and material growth of GaAs(110) quantum wells
  • 万方数据
    光学精密工程 광학정밀공정
    OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
    2007年 5期 678-683 ,共6页

    刘林生%刘肃%王文新%赵宏鸣%刘宝利%蒋中伟%高汉超%王佳%黄庆安%陈弘%周均铭

    류림생%류숙%왕문신%조굉명%류보리%장중위%고한초%왕가%황경안%진홍%주균명

    光荧光谱%砷化镓%量子阱%分子束外延 光熒光譜%砷化鎵%量子阱%分子束外延
    광형광보%신화가%양자정%분자속외연
    GaAs (110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化.通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量.结果表明,量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差,单层生长模式下光学性能比较好,但是量子阱界面会变得粗糙.利用这一特点,采用RHEED强度振荡技术,能够实现在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱.
    GaAs (110)츤저상생장GaAs외연층시,불동생장조건하존재단층화쌍층량충생장모식,대응반사고능전자연사(RHEED)강도진탕정현출단쌍주기적변화.통과투사전자현미경(TEM)、실온화저온광형광보(PL보)대량충생장모식하적양품진행료측량.결과표명,양자정양품재쌍층생장모식하광학성능교차,단층생장모식하광학성능비교호,단시양자정계면회변득조조.이용저일특점,채용RHEED강도진탕기술,능구실현재GaAs(110)츤저상생장고질량양자정.
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