发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
3期
557-560
,共4页
元光%曹崇龙%宋翠华%宋航%屿拹秀隆%三村秀典
元光%曹崇龍%宋翠華%宋航%嶼拹秀隆%三村秀典
원광%조숭룡%송취화%송항%서협수륭%삼촌수전
场发射%电子能谱%硅微尖%电场渗透
場髮射%電子能譜%硅微尖%電場滲透
장발사%전자능보%규미첨%전장삼투
结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源.计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1 eV.导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象.
結閤金屬的場髮射電子能譜,模擬計算瞭場滲透對n型半導體硅微尖的場髮射能譜的影響,併與n型硅微尖的場髮射能譜實驗結果進行瞭比較,討論瞭模擬計算誤差的來源.計算結果錶明電場滲透現象導緻硅的場髮射能譜嚮低能方嚮偏移,錶麵電場越高,能譜的偏移量越大,其偏移程度可超過1 eV.導緻硅微尖的場髮射能譜偏移的主要因素是半導體的場滲透現象.
결합금속적장발사전자능보,모의계산료장삼투대n형반도체규미첨적장발사능보적영향,병여n형규미첨적장발사능보실험결과진행료비교,토론료모의계산오차적래원.계산결과표명전장삼투현상도치규적장발사능보향저능방향편이,표면전장월고,능보적편이량월대,기편이정도가초과1 eV.도치규미첨적장발사능보편이적주요인소시반도체적장삼투현상.
