微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
9期
560-563,586
,共5页
于留波%赵湛%丁国杰%轩运动
于留波%趙湛%丁國傑%軒運動
우류파%조담%정국걸%헌운동
匹配%前置放大%压电系数矩阵%电压强度分布%压电耦合分析
匹配%前置放大%壓電繫數矩陣%電壓彊度分佈%壓電耦閤分析
필배%전치방대%압전계수구진%전압강도분포%압전우합분석
针对压电式微传声器的两种测量方法,研究了提高微传声器灵敏度的方法.对于电荷测量法,前置放大电路应采用并联负反馈的方式;对于电压测量法,前置放大电路应采用串联负反馈的方式;并且选用高输入阻抗的放大器作为前置放大器.根据理论推导不同材料在不同测量方法下的灵敏度,发现在电荷测量法下用PZT制备的微传声器与在电压测量法下用ZnO制备的微传声器的灵敏度都比较高.用ANSYS软件对四边固支ZnO压电式微传声器进行静力分析,发现薄膜上最大电压为7.89 mV,最小电压为-5.55 mV.根据薄膜上的应力分布,针对两种测量方法,优化设计了两种不同的新型微传声器结构.
針對壓電式微傳聲器的兩種測量方法,研究瞭提高微傳聲器靈敏度的方法.對于電荷測量法,前置放大電路應採用併聯負反饋的方式;對于電壓測量法,前置放大電路應採用串聯負反饋的方式;併且選用高輸入阻抗的放大器作為前置放大器.根據理論推導不同材料在不同測量方法下的靈敏度,髮現在電荷測量法下用PZT製備的微傳聲器與在電壓測量法下用ZnO製備的微傳聲器的靈敏度都比較高.用ANSYS軟件對四邊固支ZnO壓電式微傳聲器進行靜力分析,髮現薄膜上最大電壓為7.89 mV,最小電壓為-5.55 mV.根據薄膜上的應力分佈,針對兩種測量方法,優化設計瞭兩種不同的新型微傳聲器結構.
침대압전식미전성기적량충측량방법,연구료제고미전성기령민도적방법.대우전하측량법,전치방대전로응채용병련부반궤적방식;대우전압측량법,전치방대전로응채용천련부반궤적방식;병차선용고수입조항적방대기작위전치방대기.근거이론추도불동재료재불동측량방법하적령민도,발현재전하측량법하용PZT제비적미전성기여재전압측량법하용ZnO제비적미전성기적령민도도비교고.용ANSYS연건대사변고지ZnO압전식미전성기진행정력분석,발현박막상최대전압위7.89 mV,최소전압위-5.55 mV.근거박막상적응력분포,침대량충측량방법,우화설계료량충불동적신형미전성기결구.
