微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
4期
545-549
,共5页
朱彤%黄飞%谢淼%赖宗声%张润曦
硃彤%黃飛%謝淼%賴宗聲%張潤晞
주동%황비%사묘%뢰종성%장윤희
带隙基准源%温度系数%驱动能力
帶隙基準源%溫度繫數%驅動能力
대극기준원%온도계수%구동능력
基于Grace 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种带低压差线性稳压器的低温度系数带隙基准源.仿真结果表明,在1.8V供电下,带隙基准电路从电源电压上抽取约340 μA电流,在-40℃～85℃温度范围内,输出电压为900.24 mV±0.222 mV,温度系数达到5×10-6/℃,在1kHz频率下,电源抑制比约为51 dB.电路以LDO作为输出缓冲,最大可驱动15 pF负载电容.
基于Grace 0.18μm標準CMOS工藝,設計瞭一種帶低壓差線性穩壓器的低溫度繫數帶隙基準源.倣真結果錶明,在1.8V供電下,帶隙基準電路從電源電壓上抽取約340 μA電流,在-40℃～85℃溫度範圍內,輸齣電壓為900.24 mV±0.222 mV,溫度繫數達到5×10-6/℃,在1kHz頻率下,電源抑製比約為51 dB.電路以LDO作為輸齣緩遲,最大可驅動15 pF負載電容.
기우Grace 0.18μm표준CMOS공예,설계료일충대저압차선성은압기적저온도계수대극기준원.방진결과표명,재1.8V공전하,대극기준전로종전원전압상추취약340 μA전류,재-40℃～85℃온도범위내,수출전압위900.24 mV±0.222 mV,온도계수체도5×10-6/℃,재1kHz빈솔하,전원억제비약위51 dB.전로이LDO작위수출완충,최대가구동15 pF부재전용.
