功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2003年
4期
469-472
,共4页
孟兆祥%于广辉%叶好华%雷本亮%李存才%齐鸣%李爱珍
孟兆祥%于廣輝%葉好華%雷本亮%李存纔%齊鳴%李愛珍
맹조상%우엄휘%협호화%뢰본량%리존재%제명%리애진
GaN%HVPE%流体动力学
GaN%HVPE%流體動力學
GaN%HVPE%류체동역학
建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化.材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec.
建立瞭GaN HVPE繫統的流體動力學模型,研究瞭反應氣體在反應室內的濃度場,討論瞭反應室內GaCl和NH3管道空間配置對氣體在襯底錶麵濃度分佈的影響,併對HVPE繫統反應室的設計進行瞭優化.材料生長結果錶明,厚度均勻性良好,直接在藍寶石襯底上生長的GaN外延層搖襬麯線半寬為660 arcsec.
건립료GaN HVPE계통적류체동역학모형,연구료반응기체재반응실내적농도장,토론료반응실내GaCl화NH3관도공간배치대기체재츤저표면농도분포적영향,병대HVPE계통반응실적설계진행료우화.재료생장결과표명,후도균균성량호,직접재람보석츤저상생장적GaN외연층요파곡선반관위660 arcsec.
