半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
7期
841-846
,共6页
王成刚%韩德栋%杨红%刘晓彦%王玮%王漪%康晋锋%韩汝琦
王成剛%韓德棟%楊紅%劉曉彥%王瑋%王漪%康晉鋒%韓汝琦
왕성강%한덕동%양홍%류효언%왕위%왕의%강진봉%한여기
HfO2栅介质%泄漏电流输运机制%Schottky发射%Frenkel-Poole发射%SILC
HfO2柵介質%洩漏電流輸運機製%Schottky髮射%Frenkel-Poole髮射%SILC
HfO2책개질%설루전류수운궤제%Schottky발사%Frenkel-Poole발사%SILC
利用室温下反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了HfO2栅介质层,研究了HfO2高k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流(SILC)效应.对HfO2栅介质泄漏电流输运机制的分析表明,在电子由衬底注入的情况下,泄漏电流主要由Schottky发射机制引起,而在电子由栅注入的情况下,泄漏电流由Schottky发射和Frenkel-Poole发射两种机制共同引起.通过对SILC的分析,在没有加应力前HfO2/Si界面层存在较少的界面陷阱,而加上负的栅压应力后在界面处会产生新的界面陷阱,随着新产生界面陷阱的增多,这时在衬底注入的情况下,电流传输机制就不仅仅是由Schottky发射机制引起,而存在Frenkel-Poole发射机制起作用.同时研究表明面积对SILC效应的影响很小.
利用室溫下反應磁控濺射的方法在p-Si(100)襯底上製備瞭HfO2柵介質層,研究瞭HfO2高k柵介質的電流傳輸機製和應力引起洩漏電流(SILC)效應.對HfO2柵介質洩漏電流輸運機製的分析錶明,在電子由襯底註入的情況下,洩漏電流主要由Schottky髮射機製引起,而在電子由柵註入的情況下,洩漏電流由Schottky髮射和Frenkel-Poole髮射兩種機製共同引起.通過對SILC的分析,在沒有加應力前HfO2/Si界麵層存在較少的界麵陷阱,而加上負的柵壓應力後在界麵處會產生新的界麵陷阱,隨著新產生界麵陷阱的增多,這時在襯底註入的情況下,電流傳輸機製就不僅僅是由Schottky髮射機製引起,而存在Frenkel-Poole髮射機製起作用.同時研究錶明麵積對SILC效應的影響很小.
이용실온하반응자공천사적방법재p-Si(100)츤저상제비료HfO2책개질층,연구료HfO2고k책개질적전류전수궤제화응력인기설루전류(SILC)효응.대HfO2책개질설루전류수운궤제적분석표명,재전자유츤저주입적정황하,설루전류주요유Schottky발사궤제인기,이재전자유책주입적정황하,설루전류유Schottky발사화Frenkel-Poole발사량충궤제공동인기.통과대SILC적분석,재몰유가응력전HfO2/Si계면층존재교소적계면함정,이가상부적책압응력후재계면처회산생신적계면함정,수착신산생계면함정적증다,저시재츤저주입적정황하,전류전수궤제취불부부시유Schottky발사궤제인기,이존재Frenkel-Poole발사궤제기작용.동시연구표명면적대SILC효응적영향흔소.
