CAJ | 학술논문

介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试.器件光敏面面积为300μm×300×m,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65 K温度2 V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-4、19 × 10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109am·Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282 A/W.GaAS基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAS QWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势.
개소료장파쌍색AlxGa1-xAs/GaAs다양자정홍외탐측기단원적설계、제작화측시.기건광민면면적위300μm×300×m,광흡수봉치파장분별위10.8、11.6μm;채용수직입사광우합적공작모식,65 K온도2 V편압하,량개다양자정구적암전류분별위4.23×10-4、19 × 10-6A;흑체탐측솔분별위1.5×109、6.7×109am·Hz1/2/W;향응솔분별위0.063、0.282 A/W.GaAS기양자정홍외탐측기(QWIP)재료생장화가공공예성숙、대면적균균성호、성본저、불동파단지간적광학천음소,사득AlGaAs/GaAS QWIP재제작다색대면진방면구유명현적우세.