中南大学学报（自然科学版）
中南大學學報（自然科學版）
중남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY
2009年
3期
575-580
,共6页
肖发新%郑雅杰%简洪生%龚竹青%许卫
肖髮新%鄭雅傑%簡洪生%龔竹青%許衛
초발신%정아걸%간홍생%공죽청%허위
砷%锑%铋%铜电沉积%阳极氧化
砷%銻%鉍%銅電沉積%暘極氧化
신%제%필%동전침적%양겁양화
采用循环伏安及交流阻抗研究As(Ⅲ,V),Sb(Ⅲ,V)和Bi(Ⅲ)对铜电沉积及阳极氧化机理的影响.研究结果表明:电解底液循环伏安分别在0.06 V和-0.25 V出现还原峰a和b,在0.10 v和0.23 V出现氧化峰b'和a'.As(Ⅲ)加速铜的电沉积,As(V),Sb(Ⅲ,V)和Bi(Ⅲ)均改变铜的沉积机理,使两步反应变成一步反应,其中,加入Sb(Ⅲ,V)和Bi(Ⅲ)的电液在-0.13 V附近出现杂质Sb和Bi的还原峰;这些杂质均抑制铜的氧化反应,改变阳极氧化机理,使两步氧化变为一步氧化反应;将As(Ⅲ,V),Sb(Ⅲ,V)和Bi(Ⅲ)单独加入电解液中,电极过程均产生电活性物质吸附,均使电极过程阻抗减小.
採用循環伏安及交流阻抗研究As(Ⅲ,V),Sb(Ⅲ,V)和Bi(Ⅲ)對銅電沉積及暘極氧化機理的影響.研究結果錶明:電解底液循環伏安分彆在0.06 V和-0.25 V齣現還原峰a和b,在0.10 v和0.23 V齣現氧化峰b'和a'.As(Ⅲ)加速銅的電沉積,As(V),Sb(Ⅲ,V)和Bi(Ⅲ)均改變銅的沉積機理,使兩步反應變成一步反應,其中,加入Sb(Ⅲ,V)和Bi(Ⅲ)的電液在-0.13 V附近齣現雜質Sb和Bi的還原峰;這些雜質均抑製銅的氧化反應,改變暘極氧化機理,使兩步氧化變為一步氧化反應;將As(Ⅲ,V),Sb(Ⅲ,V)和Bi(Ⅲ)單獨加入電解液中,電極過程均產生電活性物質吸附,均使電極過程阻抗減小.
채용순배복안급교류조항연구As(Ⅲ,V),Sb(Ⅲ,V)화Bi(Ⅲ)대동전침적급양겁양화궤리적영향.연구결과표명:전해저액순배복안분별재0.06 V화-0.25 V출현환원봉a화b,재0.10 v화0.23 V출현양화봉b'화a'.As(Ⅲ)가속동적전침적,As(V),Sb(Ⅲ,V)화Bi(Ⅲ)균개변동적침적궤리,사량보반응변성일보반응,기중,가입Sb(Ⅲ,V)화Bi(Ⅲ)적전액재-0.13 V부근출현잡질Sb화Bi적환원봉;저사잡질균억제동적양화반응,개변양겁양화궤리,사량보양화변위일보양화반응;장As(Ⅲ,V),Sb(Ⅲ,V)화Bi(Ⅲ)단독가입전해액중,전겁과정균산생전활성물질흡부,균사전겁과정조항감소.
