半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
5期
700-704
,共5页
李香萍%张宝林%申人升%董鑫%杜国同
李香萍%張寶林%申人升%董鑫%杜國同
리향평%장보림%신인승%동흠%두국동
金属有机化学气相沉积%正交试验设计%氧化锌
金屬有機化學氣相沉積%正交試驗設計%氧化鋅
금속유궤화학기상침적%정교시험설계%양화자
采用低压-金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,结合正交试验设计,在(100)p-Si衬底上制备了高质量的ZnO薄膜.用室温光致发光研究了不同生长参数对ZnO薄膜光学质量的影响.通过正交分析法对所得样品相关特征指标的分析,得到生长温度、锌源温度和氧气流量3个独立工艺参数对薄膜光学质量的影响.结果表明,生长温度对薄膜光学质量的影响最大,其余依次为氧气流量和锌源温度,同时,通过分析还得到了最佳组合工艺.结合面探X射线衍射仪,分析了薄膜的结晶质量,发现在优化的工艺条件下制备出的ZnO薄膜具有较好的结晶质量.
採用低壓-金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術,結閤正交試驗設計,在(100)p-Si襯底上製備瞭高質量的ZnO薄膜.用室溫光緻髮光研究瞭不同生長參數對ZnO薄膜光學質量的影響.通過正交分析法對所得樣品相關特徵指標的分析,得到生長溫度、鋅源溫度和氧氣流量3箇獨立工藝參數對薄膜光學質量的影響.結果錶明,生長溫度對薄膜光學質量的影響最大,其餘依次為氧氣流量和鋅源溫度,同時,通過分析還得到瞭最佳組閤工藝.結閤麵探X射線衍射儀,分析瞭薄膜的結晶質量,髮現在優化的工藝條件下製備齣的ZnO薄膜具有較好的結晶質量.
채용저압-금속유궤화학기상침적(MOCVD)기술,결합정교시험설계,재(100)p-Si츤저상제비료고질량적ZnO박막.용실온광치발광연구료불동생장삼수대ZnO박막광학질량적영향.통과정교분석법대소득양품상관특정지표적분석,득도생장온도、자원온도화양기류량3개독립공예삼수대박막광학질량적영향.결과표명,생장온도대박막광학질량적영향최대,기여의차위양기류량화자원온도,동시,통과분석환득도료최가조합공예.결합면탐X사선연사의,분석료박막적결정질량,발현재우화적공예조건하제비출적ZnO박막구유교호적결정질량.
