固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
3期
460-464
,共5页
倪鹤南%惠春%吴良才%宋志棠
倪鶴南%惠春%吳良纔%宋誌棠
예학남%혜춘%오량재%송지당
非挥发性存储器%镍纳米晶%金属-氧化物-半导体电容
非揮髮性存儲器%鎳納米晶%金屬-氧化物-半導體電容
비휘발성존저기%얼납미정%금속-양화물-반도체전용
优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5 nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶.在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构.利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态.电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600 s,具有较好的保留性能.
優化瞭Ni納米晶的製備工藝參數,得到瞭分佈均勻,形狀為毬形,平均呎吋5 nm,密度2×1012/cm2的Ni納米晶.在此基礎上,製備瞭包含Ni納米晶的MOS電容結構.利用高頻電容-電壓(C-V)和電導-電壓(G-V)測試研究瞭其電學性能,證明該MOS電容結構的存儲效應主要源于金屬納米晶的限製態.電容-時間(C-t)測試麯線呈指數衰減趨勢,保留時間600 s,具有較好的保留性能.
우화료Ni납미정적제비공예삼수,득도료분포균균,형상위구형,평균척촌5 nm,밀도2×1012/cm2적Ni납미정.재차기출상,제비료포함Ni납미정적MOS전용결구.이용고빈전용-전압(C-V)화전도-전압(G-V)측시연구료기전학성능,증명해MOS전용결구적존저효응주요원우금속납미정적한제태.전용-시간(C-t)측시곡선정지수쇠감추세,보류시간600 s,구유교호적보류성능.
