人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2009年
4期
916-919,933
,共5页
王艳%黄剑锋%曹丽云%曾燮榕%熊信柏%吴建鹏
王豔%黃劍鋒%曹麗雲%曾燮榕%熊信柏%吳建鵬
왕염%황검봉%조려운%증섭용%웅신백%오건붕
Bi2S3薄膜%电沉积%pH值
Bi2S3薄膜%電沉積%pH值
Bi2S3박막%전침적%pH치
采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了Bi2S3薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对制备的薄膜进行了表征.研究了pH值、沉积时间、沉积液浓度等工艺因素对薄膜的影响.结果表明:电沉积制备Bi2S3薄膜的过程中,合适的Bi3+与S2O32-的浓度水平是至关重要的;在电沉积溶液pH=6.5,沉积时间为20 min,沉积电压为1 V,加入柠檬酸三钠作络合剂的情况下,得到沿(240)晶面生长良好的Bi2S3薄膜,薄膜组成均匀致密;增加沉积溶液pH值,薄膜的结晶程度逐渐提高,红外透过比提高.
採用陰極恆電壓法在ITO導電玻璃錶麵沉積瞭Bi2S3薄膜,利用X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)對製備的薄膜進行瞭錶徵.研究瞭pH值、沉積時間、沉積液濃度等工藝因素對薄膜的影響.結果錶明:電沉積製備Bi2S3薄膜的過程中,閤適的Bi3+與S2O32-的濃度水平是至關重要的;在電沉積溶液pH=6.5,沉積時間為20 min,沉積電壓為1 V,加入檸檬痠三鈉作絡閤劑的情況下,得到沿(240)晶麵生長良好的Bi2S3薄膜,薄膜組成均勻緻密;增加沉積溶液pH值,薄膜的結晶程度逐漸提高,紅外透過比提高.
채용음겁항전압법재ITO도전파리표면침적료Bi2S3박막,이용X사선연사(XRD)、원자력현미경(AFM)대제비적박막진행료표정.연구료pH치、침적시간、침적액농도등공예인소대박막적영향.결과표명:전침적제비Bi2S3박막적과정중,합괄적Bi3+여S2O32-적농도수평시지관중요적;재전침적용액pH=6.5,침적시간위20 min,침적전압위1 V,가입저몽산삼납작락합제적정황하,득도연(240)정면생장량호적Bi2S3박막,박막조성균균치밀;증가침적용액pH치,박막적결정정도축점제고,홍외투과비제고.
