半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
2期
140-143
,共4页
王向玮%高学邦%吴洪江%李富强
王嚮瑋%高學邦%吳洪江%李富彊
왕향위%고학방%오홍강%리부강
毫米波%开关%移相器%砷化镓%赝配高电子迁移率晶体管
毫米波%開關%移相器%砷化鎵%贗配高電子遷移率晶體管
호미파%개관%이상기%신화가%안배고전자천이솔정체관
移相器是毫米波相控阵雷达收发系统重要电路,基于安捷伦IC-CAP软件及砷化镓原片工艺线,研究了砷化镓毫米波开关器件测试、建模技术及其应用.采用0.15μm GaAs PHEMT工艺成功制作了一款Ka波段5位数控移相器MMIC,对毫米波数控移相器MMIC集成电路的设计、制作过程进行了阐述,并给出了测试结果.电路设计采用了开关滤波拓扑结构,运用微波探针在片测试系统对芯片进行了实测, 在34～36 GHz范围内获得了优异的电性能.给出了移相器的测试曲线, 32态均方根移相误差(RMS)5°,插入损耗典型值8dB,输入/输出电压驻波比系数典型值2,芯片尺寸为2.5mm伊1.5mm×0.1 mm.
移相器是毫米波相控陣雷達收髮繫統重要電路,基于安捷倫IC-CAP軟件及砷化鎵原片工藝線,研究瞭砷化鎵毫米波開關器件測試、建模技術及其應用.採用0.15μm GaAs PHEMT工藝成功製作瞭一款Ka波段5位數控移相器MMIC,對毫米波數控移相器MMIC集成電路的設計、製作過程進行瞭闡述,併給齣瞭測試結果.電路設計採用瞭開關濾波拓撲結構,運用微波探針在片測試繫統對芯片進行瞭實測, 在34～36 GHz範圍內穫得瞭優異的電性能.給齣瞭移相器的測試麯線, 32態均方根移相誤差(RMS)5°,插入損耗典型值8dB,輸入/輸齣電壓駐波比繫數典型值2,芯片呎吋為2.5mm伊1.5mm×0.1 mm.
이상기시호미파상공진뢰체수발계통중요전로,기우안첩륜IC-CAP연건급신화가원편공예선,연구료신화가호미파개관기건측시、건모기술급기응용.채용0.15μm GaAs PHEMT공예성공제작료일관Ka파단5위수공이상기MMIC,대호미파수공이상기MMIC집성전로적설계、제작과정진행료천술,병급출료측시결과.전로설계채용료개관려파탁복결구,운용미파탐침재편측시계통대심편진행료실측, 재34～36 GHz범위내획득료우이적전성능.급출료이상기적측시곡선, 32태균방근이상오차(RMS)5°,삽입손모전형치8dB,수입/수출전압주파비계수전형치2,심편척촌위2.5mm이1.5mm×0.1 mm.
