微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
3期
376-379
,共4页
胡佳俊%陈后鹏%王倩%蔡道林%宋志棠
鬍佳俊%陳後鵬%王倩%蔡道林%宋誌棠
호가준%진후붕%왕천%채도림%송지당
LDO%瞬态响应%相位裕度
LDO%瞬態響應%相位裕度
LDO%순태향응%상위유도
分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术.该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提供200 mA的最大负载电流,低频电源抑制比达到-65.6 dB,启动时间只有16 μs,在输出电容为10 pF、负载电流以200mA/2 μs突变时,最大下冲电压为120 mV,上冲电压为160 mV.
分析瞭傳統LDO提高繫統穩定性及瞬態響應的跼限性,提齣瞭一種片內集成補償技術.該技術無需外掛電容和等效串聯電阻(ESR),即可使繫統在全負載範圍內保持穩定,併具有良好的紋波抑製能力.倣真結果錶明,繫統空載時靜態電流為46μA,且能提供200 mA的最大負載電流,低頻電源抑製比達到-65.6 dB,啟動時間隻有16 μs,在輸齣電容為10 pF、負載電流以200mA/2 μs突變時,最大下遲電壓為120 mV,上遲電壓為160 mV.
분석료전통LDO제고계통은정성급순태향응적국한성,제출료일충편내집성보상기술.해기술무수외괘전용화등효천련전조(ESR),즉가사계통재전부재범위내보지은정,병구유량호적문파억제능력.방진결과표명,계통공재시정태전류위46μA,차능제공200 mA적최대부재전류,저빈전원억제비체도-65.6 dB,계동시간지유16 μs,재수출전용위10 pF、부재전류이200mA/2 μs돌변시,최대하충전압위120 mV,상충전압위160 mV.
