深亚微米VLSI设计中的Crosstalk问题分析及消除
심아미미VLSI설계중적Crosstalk문제분석급소제
Analysis and Immune for Crosstalk Problem in Sub-micron VLSI Design
  • 万方数据
    电子与封装 전자여봉장
    EIECTRONICS AND PACKAGING
    2004年 3期 48-50,41 ,共4页

    陈守顺%黄令仪%蒋见花%胡伟武

    진수순%황령의%장견화%호위무

    VLSI%crosstalk%耦合电容 VLSI%crosstalk%耦閤電容
    VLSI%crosstalk%우합전용
    随着特征尺寸降低到0.18μm以下,crosstalk日渐成为影响芯片设计成功与否的关键问题.本文分析了的深亚微米VLSI设计中由耦合电容造成的信号间的crosstalk问题,给出了一种峰值噪声电压的估计模型,并结合"龙芯一号"的设计,讨论了利用EDA工具解决crosstalk问题的流程.
    수착특정척촌강저도0.18μm이하,crosstalk일점성위영향심편설계성공여부적관건문제.본문분석료적심아미미VLSI설계중유우합전용조성적신호간적crosstalk문제,급출료일충봉치조성전압적고계모형,병결합"룡심일호"적설계,토론료이용EDA공구해결crosstalk문제적류정.
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