材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2007年
2期
135-139
,共5页
王道岭%汤素芳%邓景屹%刘文川
王道嶺%湯素芳%鄧景屹%劉文川
왕도령%탕소방%산경흘%류문천
复合材料%熔融硅%液相浸渍%C/C-SiC复合材料%抗氧化
複閤材料%鎔融硅%液相浸漬%C/C-SiC複閤材料%抗氧化
복합재료%용융규%액상침지%C/C-SiC복합재료%항양화
采用熔融硅液相浸渍法制备了C/C-SiC复合材料,反应生成的SiC主要分布在层间孔和束间孔碳基体表面,少量分布在束内孔.1600℃渗硅2 h,硅化深度约为2～4 μm.由于液态硅与碳之间的润湿性很好,在碳基体表面形成了连续的SiC层,局部有粗大的多面碳化硅颗粒生成;讨论了细晶粒连续SiC层和SiC粗晶粒形成机理.由于SiC的加入,材料的抗氧化性能得到明显改善.
採用鎔融硅液相浸漬法製備瞭C/C-SiC複閤材料,反應生成的SiC主要分佈在層間孔和束間孔碳基體錶麵,少量分佈在束內孔.1600℃滲硅2 h,硅化深度約為2～4 μm.由于液態硅與碳之間的潤濕性很好,在碳基體錶麵形成瞭連續的SiC層,跼部有粗大的多麵碳化硅顆粒生成;討論瞭細晶粒連續SiC層和SiC粗晶粒形成機理.由于SiC的加入,材料的抗氧化性能得到明顯改善.
채용용융규액상침지법제비료C/C-SiC복합재료,반응생성적SiC주요분포재층간공화속간공탄기체표면,소량분포재속내공.1600℃삼규2 h,규화심도약위2～4 μm.유우액태규여탄지간적윤습성흔호,재탄기체표면형성료련속적SiC층,국부유조대적다면탄화규과립생성;토론료세정립련속SiC층화SiC조정립형성궤리.유우SiC적가입,재료적항양화성능득도명현개선.
