CAJ | 학술논문

在研制了A1GaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5 mm大栅宽A1GaN/GaN HEMT.直流测试中,Vg=0 V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4 A,最大本征跨导Gmax为520 mS,夹断电压Voff为-5 V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到一20 V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34 V时,器件在8 GHz下连续波输出功率为16 W,功率增益为6.08 dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5 mm×4四胞器件,在8 GHz下,连续波输出功率42 W,功率增益8 dB,峰值功率附加效率34%.
재연제료A1GaN/GaN HEMT외연재료적기출상,채용표준공예제작료2.5 mm대책관A1GaN/GaN HEMT.직류측시중,Vg=0 V시기건적최대포화전류Ids가체2.4 A,최대본정과도Gmax위520 mS,협단전압Voff위-5 V;통과채용대유절연층적재료결구급리자주입적격리방식,감소료기건루전,제고료격천전압,책원반향전압도일20 V시,책원루전재10-6A수량급;단포기건측시중,Vds=34 V시,기건재8 GHz하련속파수출공솔위16 W,공솔증익위6.08 dB,봉치공솔부가효솔위43.0%;2.5 mm×4사포기건,재8 GHz하,련속파수출공솔42 W,공솔증익8 dB,봉치공솔부가효솔34%.