发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2010年
2期
194-198
,共5页
刘秉策%刘磁辉%孙利杰%易波
劉秉策%劉磁輝%孫利傑%易波
류병책%류자휘%손리걸%역파
ZnO多晶薄膜%晶粒界%深能级缺陷%光电特性
ZnO多晶薄膜%晶粒界%深能級缺陷%光電特性
ZnO다정박막%정립계%심능급결함%광전특성
使用脉冲激光淀积(PLD)技术在n型Si衬底上沉积氧化锌(ZnO)薄膜,在O2气氛下对样品进行了500 ℃(Sample 1, S1),600 ℃(Sample 2, S2),700 ℃(Sample 3, S3)和800 ℃(Sample 4, S4)退火,随后进行了X射线衍射(XRD)谱,椭偏光折射率,热激电流(TSC) 和电容-电压(C-V)的测量.研究发现:S1中晶界的电子陷阱由高浓度的深能级杂质(Zni)提供的电子填充,该能级位于ET=EC-0 24±0.08 eV.S3中出现与中性施主(D0)有关的深能级中心,其ET=EC-0.13±0.03 eV,推测D0的出现与高温氧气条件退火下晶界处形成的复合体缺陷有关.XRD和椭偏光折射率测量结果表明:氧气对ZnO薄膜微结构的修饰是改变ZnO/Si结构光电特性的主要因素.
使用脈遲激光澱積(PLD)技術在n型Si襯底上沉積氧化鋅(ZnO)薄膜,在O2氣氛下對樣品進行瞭500 ℃(Sample 1, S1),600 ℃(Sample 2, S2),700 ℃(Sample 3, S3)和800 ℃(Sample 4, S4)退火,隨後進行瞭X射線衍射(XRD)譜,橢偏光摺射率,熱激電流(TSC) 和電容-電壓(C-V)的測量.研究髮現:S1中晶界的電子陷阱由高濃度的深能級雜質(Zni)提供的電子填充,該能級位于ET=EC-0 24±0.08 eV.S3中齣現與中性施主(D0)有關的深能級中心,其ET=EC-0.13±0.03 eV,推測D0的齣現與高溫氧氣條件退火下晶界處形成的複閤體缺陷有關.XRD和橢偏光摺射率測量結果錶明:氧氣對ZnO薄膜微結構的脩飾是改變ZnO/Si結構光電特性的主要因素.
사용맥충격광정적(PLD)기술재n형Si츤저상침적양화자(ZnO)박막,재O2기분하대양품진행료500 ℃(Sample 1, S1),600 ℃(Sample 2, S2),700 ℃(Sample 3, S3)화800 ℃(Sample 4, S4)퇴화,수후진행료X사선연사(XRD)보,타편광절사솔,열격전류(TSC) 화전용-전압(C-V)적측량.연구발현:S1중정계적전자함정유고농도적심능급잡질(Zni)제공적전자전충,해능급위우ET=EC-0 24±0.08 eV.S3중출현여중성시주(D0)유관적심능급중심,기ET=EC-0.13±0.03 eV,추측D0적출현여고온양기조건퇴화하정계처형성적복합체결함유관.XRD화타편광절사솔측량결과표명:양기대ZnO박막미결구적수식시개변ZnO/Si결구광전특성적주요인소.
