人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
3期
616-623
,共8页
吴伟军%李明伟%程曼%曹亚超%石航
吳偉軍%李明偉%程曼%曹亞超%石航
오위군%리명위%정만%조아초%석항
双掺杂%成核%诱导期%稳定性%位错
雙摻雜%成覈%誘導期%穩定性%位錯
쌍참잡%성핵%유도기%은정성%위착
研究了EDTA与KCl不同掺杂浓度和不同过饱和比下KDP溶液的成核过程,测定了不同条件下KDP过饱和溶液的诱导期;根据经典成核理论计算了成核热、动力学参数,并分析了溶液稳定性随掺杂浓度的变化情况.利用化学腐蚀法对KDP晶体(100)面进行了腐蚀,得到了清晰的位错蚀坑,并使用光学显微镜观察了(100)面位错蚀坑的分布特点.结果表明,当过饱和度为4%、掺杂浓度为0.01 mol%EDTA和1 m01%KCl时,不仅KDP过饱和溶液的稳定性比较高,而且位错蚀坑的分布比较均匀、密度小,适合高质量的KDP晶体生长.
研究瞭EDTA與KCl不同摻雜濃度和不同過飽和比下KDP溶液的成覈過程,測定瞭不同條件下KDP過飽和溶液的誘導期;根據經典成覈理論計算瞭成覈熱、動力學參數,併分析瞭溶液穩定性隨摻雜濃度的變化情況.利用化學腐蝕法對KDP晶體(100)麵進行瞭腐蝕,得到瞭清晰的位錯蝕坑,併使用光學顯微鏡觀察瞭(100)麵位錯蝕坑的分佈特點.結果錶明,噹過飽和度為4%、摻雜濃度為0.01 mol%EDTA和1 m01%KCl時,不僅KDP過飽和溶液的穩定性比較高,而且位錯蝕坑的分佈比較均勻、密度小,適閤高質量的KDP晶體生長.
연구료EDTA여KCl불동참잡농도화불동과포화비하KDP용액적성핵과정,측정료불동조건하KDP과포화용액적유도기;근거경전성핵이론계산료성핵열、동역학삼수,병분석료용액은정성수참잡농도적변화정황.이용화학부식법대KDP정체(100)면진행료부식,득도료청석적위착식갱,병사용광학현미경관찰료(100)면위착식갱적분포특점.결과표명,당과포화도위4%、참잡농도위0.01 mol%EDTA화1 m01%KCl시,불부KDP과포화용액적은정성비교고,이차위착식갱적분포비교균균、밀도소,괄합고질량적KDP정체생장.