半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
2期
138-142
,共5页
Class-E功率放大器%寄生电容%漏极输出电压%旁路电容%传输效率
Class-E功率放大器%寄生電容%漏極輸齣電壓%徬路電容%傳輸效率
Class-E공솔방대기%기생전용%루겁수출전압%방로전용%전수효솔
针对Class-E功率放大器传输效率受MOSFET寄生电容的影响,提出了一种提高传输效率的方法.通过调节RLC回路中串联谐振电容的数值,提高旁路电容的数值,调节负载回路,使其超过MOSFET自身的输出寄生电容,以达到提高输出效率的目的.计算及仿真结果表明该方法在13.56 MHz下,可以将Class-E的旁路电容的值提高到120 ～ 160 pF,大大超过了IRF510的102.98 pF的寄生输出电容.最后,通过MS03012混合信号示波器测量电路的传输效率,并对解决方案评估和改进,将Class-E的能量传输效率从改进前的37.1％提高到改进后的54.4％.据此,实现了Class-E在神经假体中数据与能量传输的应用.
針對Class-E功率放大器傳輸效率受MOSFET寄生電容的影響,提齣瞭一種提高傳輸效率的方法.通過調節RLC迴路中串聯諧振電容的數值,提高徬路電容的數值,調節負載迴路,使其超過MOSFET自身的輸齣寄生電容,以達到提高輸齣效率的目的.計算及倣真結果錶明該方法在13.56 MHz下,可以將Class-E的徬路電容的值提高到120 ～ 160 pF,大大超過瞭IRF510的102.98 pF的寄生輸齣電容.最後,通過MS03012混閤信號示波器測量電路的傳輸效率,併對解決方案評估和改進,將Class-E的能量傳輸效率從改進前的37.1％提高到改進後的54.4％.據此,實現瞭Class-E在神經假體中數據與能量傳輸的應用.
침대Class-E공솔방대기전수효솔수MOSFET기생전용적영향,제출료일충제고전수효솔적방법.통과조절RLC회로중천련해진전용적수치,제고방로전용적수치,조절부재회로,사기초과MOSFET자신적수출기생전용,이체도제고수출효솔적목적.계산급방진결과표명해방법재13.56 MHz하,가이장Class-E적방로전용적치제고도120 ～ 160 pF,대대초과료IRF510적102.98 pF적기생수출전용.최후,통과MS03012혼합신호시파기측량전로적전수효솔,병대해결방안평고화개진,장Class-E적능량전수효솔종개진전적37.1％제고도개진후적54.4％.거차,실현료Class-E재신경가체중수거여능량전수적응용.
