微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
2期
93-98
,共6页
王亚攀%吴义伯%张小波%张丛春%杨春生
王亞攀%吳義伯%張小波%張叢春%楊春生
왕아반%오의백%장소파%장총춘%양춘생
电热驱动器%双层结构%TiNi基形状记忆合金薄膜%ANSYS仿真%Si微细加工技术
電熱驅動器%雙層結構%TiNi基形狀記憶閤金薄膜%ANSYS倣真%Si微細加工技術
전열구동기%쌍층결구%TiNi기형상기억합금박막%ANSYS방진%Si미세가공기술
使用射频磁控溅射法,在Si片上沉积了TiNi形状记忆合金薄膜,分别采用能谱色散光谱仪(EDS)和差示扫描热量分析(DSC)方法测试了薄膜的成分和相变特征温度,并通过给形状记忆合金(SMA)薄膜加热及冷却,观察薄膜的形变恢复情况,定性测试了SMA的形状记忆特性.在此基础上,设计并制造了一种SMA薄膜/Si膜复合膜悬臂梁结构的微驱动器.在室温下,SMA电热驱动器的悬臂梁是平直的;由于TiNi合金具有相变和形状记忆特性,当TiNi电极加上电压后,悬臂梁会产生弯曲.测试结果表明,在2.0 V电压下,驱动器悬臂梁端部的驱动位移可达到70.5μm,功耗为20 mW.
使用射頻磁控濺射法,在Si片上沉積瞭TiNi形狀記憶閤金薄膜,分彆採用能譜色散光譜儀(EDS)和差示掃描熱量分析(DSC)方法測試瞭薄膜的成分和相變特徵溫度,併通過給形狀記憶閤金(SMA)薄膜加熱及冷卻,觀察薄膜的形變恢複情況,定性測試瞭SMA的形狀記憶特性.在此基礎上,設計併製造瞭一種SMA薄膜/Si膜複閤膜懸臂樑結構的微驅動器.在室溫下,SMA電熱驅動器的懸臂樑是平直的;由于TiNi閤金具有相變和形狀記憶特性,噹TiNi電極加上電壓後,懸臂樑會產生彎麯.測試結果錶明,在2.0 V電壓下,驅動器懸臂樑耑部的驅動位移可達到70.5μm,功耗為20 mW.
사용사빈자공천사법,재Si편상침적료TiNi형상기억합금박막,분별채용능보색산광보의(EDS)화차시소묘열량분석(DSC)방법측시료박막적성분화상변특정온도,병통과급형상기억합금(SMA)박막가열급냉각,관찰박막적형변회복정황,정성측시료SMA적형상기억특성.재차기출상,설계병제조료일충SMA박막/Si막복합막현비량결구적미구동기.재실온하,SMA전열구동기적현비량시평직적;유우TiNi합금구유상변화형상기억특성,당TiNi전겁가상전압후,현비량회산생만곡.측시결과표명,재2.0 V전압하,구동기현비량단부적구동위이가체도70.5μm,공모위20 mW.
