固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
2期
167-171,230
,共6页
张慧%张利春%高玉芝%金海岩
張慧%張利春%高玉芝%金海巖
장혜%장리춘%고옥지%금해암
肖特基二极管%镍硅%镍(铂)硅%深槽
肖特基二極管%鎳硅%鎳(鉑)硅%深槽
초특기이겁관%얼규%얼(박)규%심조
采用15 nm Ni/1.5 nm Pt/15 nm Ni/Si结构在600～850 °C范围内经RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜电阻低且均匀一致.比形成较低电阻率的NiSi薄膜的温度提高了150 °C.在850 °C RTP退火后形成的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管I-V特性很好,其势垒高度ΦB为0.71 eV,改善了肖特基二极管的稳定性.实验表明在肖特基二极管中引入深槽结构,可以大幅度地提高其反向击穿电压.在外延层浓度为5E15 cm -3时,深槽器件的击穿电压可以达到80 V,比保护环器件高约30 V.
採用15 nm Ni/1.5 nm Pt/15 nm Ni/Si結構在600～850 °C範圍內經RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜電阻低且均勻一緻.比形成較低電阻率的NiSi薄膜的溫度提高瞭150 °C.在850 °C RTP退火後形成的Ni(Pt)Si/Si肖特基勢壘二極管I-V特性很好,其勢壘高度ΦB為0.71 eV,改善瞭肖特基二極管的穩定性.實驗錶明在肖特基二極管中引入深槽結構,可以大幅度地提高其反嚮擊穿電壓.在外延層濃度為5E15 cm -3時,深槽器件的擊穿電壓可以達到80 V,比保護環器件高約30 V.
채용15 nm Ni/1.5 nm Pt/15 nm Ni/Si결구재600～850 °C범위내경RTP퇴화적방법형성Ni(Pt)Si박막,기박막전조저차균균일치.비형성교저전조솔적NiSi박막적온도제고료150 °C.재850 °C RTP퇴화후형성적Ni(Pt)Si/Si초특기세루이겁관I-V특성흔호,기세루고도ΦB위0.71 eV,개선료초특기이겁관적은정성.실험표명재초특기이겁관중인입심조결구,가이대폭도지제고기반향격천전압.재외연층농도위5E15 cm -3시,심조기건적격천전압가이체도80 V,비보호배기건고약30 V.
