微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2005年
10期
455-458,488
,共5页
张波%梁二军%徐晓峰%谢涵坤%王良
張波%樑二軍%徐曉峰%謝涵坤%王良
장파%량이군%서효봉%사함곤%왕량
ZnO薄膜%掺杂%磁控溅射%透射谱
ZnO薄膜%摻雜%磁控濺射%透射譜
ZnO박막%참잡%자공천사%투사보
利用磁控溅射制备了纯ZnO薄膜,并在NH3-O2-Ar气氛中溅射Zn靶实现了ZnO薄膜的N掺杂;利用双靶共溅的方法分别制备了Al掺杂和N+Al掺杂样品.原子力显微镜(AFM)观察显示各ZnO薄膜样品具有较好的晶粒分布,退火处理能够显著提高薄膜的结构状态,N+Al共掺杂样品具有较好的表面平整度;在438 cm-1附近观察到了喇曼谱特征峰;透射光谱揭示了激子的吸收特征和掺杂样品的吸收边向短波方向移动;发射光谱测试表明,掺杂样品比未掺杂样品有更强的紫外发射;同时分析了ZnO薄膜的掺杂机理.
利用磁控濺射製備瞭純ZnO薄膜,併在NH3-O2-Ar氣氛中濺射Zn靶實現瞭ZnO薄膜的N摻雜;利用雙靶共濺的方法分彆製備瞭Al摻雜和N+Al摻雜樣品.原子力顯微鏡(AFM)觀察顯示各ZnO薄膜樣品具有較好的晶粒分佈,退火處理能夠顯著提高薄膜的結構狀態,N+Al共摻雜樣品具有較好的錶麵平整度;在438 cm-1附近觀察到瞭喇曼譜特徵峰;透射光譜揭示瞭激子的吸收特徵和摻雜樣品的吸收邊嚮短波方嚮移動;髮射光譜測試錶明,摻雜樣品比未摻雜樣品有更彊的紫外髮射;同時分析瞭ZnO薄膜的摻雜機理.
이용자공천사제비료순ZnO박막,병재NH3-O2-Ar기분중천사Zn파실현료ZnO박막적N참잡;이용쌍파공천적방법분별제비료Al참잡화N+Al참잡양품.원자력현미경(AFM)관찰현시각ZnO박막양품구유교호적정립분포,퇴화처리능구현저제고박막적결구상태,N+Al공참잡양품구유교호적표면평정도;재438 cm-1부근관찰도료나만보특정봉;투사광보게시료격자적흡수특정화참잡양품적흡수변향단파방향이동;발사광보측시표명,참잡양품비미참잡양품유경강적자외발사;동시분석료ZnO박막적참잡궤리.
