昆明理工大学学报（理工版）
昆明理工大學學報（理工版）
곤명리공대학학보（리공판）
JOURNAL OF KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY（SCIENCE AND TECHNOLOGY）
2008年
3期
20-23
,共4页
于杰%余娜%王杜娟%卢雯婷
于傑%餘娜%王杜娟%盧雯婷
우걸%여나%왕두연%로문정
KDP晶体%晶体生长%籽晶%非线性光学晶体
KDP晶體%晶體生長%籽晶%非線性光學晶體
KDP정체%정체생장%자정%비선성광학정체
利用水溶法生长了KDP单晶体,系统论述了晶体生长装置和工艺各个过程.指出生长均匀、无缺陷KDP单晶体工艺过程中的注意的事项.实验表明晶体生长过程中溶液的纯度不高,会造成籽晶以外的溶液体系其他部位大量成核;pH值过高,生长的晶体会出现楔化现象,过低则影响生长速率,实验测得pH值为2.2;50℃的晶体退火温度能有效消除晶体内部的热应力,提高晶体的光学均匀性.同时籽晶的切向、温度控制的准确性等因素有效避免晶体生长过程中出现的生长层、晶面花纹等缺陷.
利用水溶法生長瞭KDP單晶體,繫統論述瞭晶體生長裝置和工藝各箇過程.指齣生長均勻、無缺陷KDP單晶體工藝過程中的註意的事項.實驗錶明晶體生長過程中溶液的純度不高,會造成籽晶以外的溶液體繫其他部位大量成覈;pH值過高,生長的晶體會齣現楔化現象,過低則影響生長速率,實驗測得pH值為2.2;50℃的晶體退火溫度能有效消除晶體內部的熱應力,提高晶體的光學均勻性.同時籽晶的切嚮、溫度控製的準確性等因素有效避免晶體生長過程中齣現的生長層、晶麵花紋等缺陷.
이용수용법생장료KDP단정체,계통논술료정체생장장치화공예각개과정.지출생장균균、무결함KDP단정체공예과정중적주의적사항.실험표명정체생장과정중용액적순도불고,회조성자정이외적용액체계기타부위대량성핵;pH치과고,생장적정체회출현설화현상,과저칙영향생장속솔,실험측득pH치위2.2;50℃적정체퇴화온도능유효소제정체내부적열응력,제고정체적광학균균성.동시자정적절향、온도공제적준학성등인소유효피면정체생장과정중출현적생장층、정면화문등결함.
