金属学报
金屬學報
금속학보
ACTA METALLURGICA SINICA
2008年
11期
1360-1365
,共6页
徐群杰%朱律均%齐航%曹为民%周国定
徐群傑%硃律均%齊航%曹為民%週國定
서군걸%주률균%제항%조위민%주국정
Cu%光电化学%腐蚀%缓蚀剂%聚天冬氨酸
Cu%光電化學%腐蝕%緩蝕劑%聚天鼕氨痠
Cu%광전화학%부식%완식제%취천동안산
用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu2O膜为P型半导体.当Cu所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)时,Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但小会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl(0.5-15 g/L)时,Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀,Cl-掺杂使Cu2O膜部分转成n型;当溶液中存在大量NaCl(大于15 g/L)时,Cu2O膜完全被Cl-掺杂而转型成n型.缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用;当NaCl浓度为2 g/L时,PASP与溶液中的Cl-在Cu表面竞争吸附,明显抑制了Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O受到了保护仍为P型;在NaCl浓度为30 g/L时,PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转成n型,但n型性质变弱.对Cu2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.
用光電化學方法研究瞭Cu在不同濃度NaCl的硼痠-硼砂溶液中的腐蝕以及緩蝕劑聚天鼕氨痠(PASP)對Cu的緩蝕作用.Cu在硼痠-硼砂緩遲溶液中,錶麵的Cu2O膜為P型半導體.噹Cu所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)時,Cu錶麵Cu2O膜會受輕微Cl-摻雜但小會改變半導體性質;噹溶液中存在較多NaCl(0.5-15 g/L)時,Cu2O膜會受Cl-較嚴重的侵蝕,Cl-摻雜使Cu2O膜部分轉成n型;噹溶液中存在大量NaCl(大于15 g/L)時,Cu2O膜完全被Cl-摻雜而轉型成n型.緩蝕劑PASP的加入能夠對Cu起到緩蝕作用;噹NaCl濃度為2 g/L時,PASP與溶液中的Cl-在Cu錶麵競爭吸附,明顯抑製瞭Cl-對Cu2O膜的摻雜,Cu2O受到瞭保護仍為P型;在NaCl濃度為30 g/L時,PASP與Cl-競爭吸附隻能削弱Cl-對Cu2O膜的摻雜,Cu2O膜仍受Cl-摻雜而轉成n型,但n型性質變弱.對Cu2O膜性質的Mott-Schottky測試結果與光電化學結果一緻.
용광전화학방법연구료Cu재불동농도NaCl적붕산-붕사용액중적부식이급완식제취천동안산(PASP)대Cu적완식작용.Cu재붕산-붕사완충용액중,표면적Cu2O막위P형반도체.당Cu소재적용액중존재소량NaCl(소우0.5 g/L)시,Cu표면Cu2O막회수경미Cl-참잡단소회개변반도체성질;당용액중존재교다NaCl(0.5-15 g/L)시,Cu2O막회수Cl-교엄중적침식,Cl-참잡사Cu2O막부분전성n형;당용액중존재대량NaCl(대우15 g/L)시,Cu2O막완전피Cl-참잡이전형성n형.완식제PASP적가입능구대Cu기도완식작용;당NaCl농도위2 g/L시,PASP여용액중적Cl-재Cu표면경쟁흡부,명현억제료Cl-대Cu2O막적참잡,Cu2O수도료보호잉위P형;재NaCl농도위30 g/L시,PASP여Cl-경쟁흡부지능삭약Cl-대Cu2O막적참잡,Cu2O막잉수Cl-참잡이전성n형,단n형성질변약.대Cu2O막성질적Mott-Schottky측시결과여광전화학결과일치.
