电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2011年
2期
172-175
,共4页
徐长久%孙玲玲%文进才%余志平
徐長久%孫玲玲%文進纔%餘誌平
서장구%손령령%문진재%여지평
Doherty%功率放大器%CMOS%功率附加效率(PAE)%负载牵引
Doherty%功率放大器%CMOS%功率附加效率(PAE)%負載牽引
Doherty%공솔방대기%CMOS%공솔부가효솔(PAE)%부재견인
基于SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺,设计了一款1.95 GHz的Doherty功率放大器.为了保持两路功放相位最大一致性,主功放(PA1)和辅功放(PA2)采用了同一种CMOS功率放大器,仅改变其偏压使其工作在不同模式.CMOS功率放大器为工作于AB类的两级放大电路,集成了输入和级间匹配网络;功分器以及λ/4调制网络在PCB板上实现.在3 V供电,工作频率为1.95 GHz时,CMOS功率放大器输出功率为23 dBm,增益为16dB,功率附加效率(PAE)为30%;Doherty功率放大器输出功率为25 dBm,功率附加效率为15%.
基于SMIC 0.18 μm RF CMOS工藝,設計瞭一款1.95 GHz的Doherty功率放大器.為瞭保持兩路功放相位最大一緻性,主功放(PA1)和輔功放(PA2)採用瞭同一種CMOS功率放大器,僅改變其偏壓使其工作在不同模式.CMOS功率放大器為工作于AB類的兩級放大電路,集成瞭輸入和級間匹配網絡;功分器以及λ/4調製網絡在PCB闆上實現.在3 V供電,工作頻率為1.95 GHz時,CMOS功率放大器輸齣功率為23 dBm,增益為16dB,功率附加效率(PAE)為30%;Doherty功率放大器輸齣功率為25 dBm,功率附加效率為15%.
기우SMIC 0.18 μm RF CMOS공예,설계료일관1.95 GHz적Doherty공솔방대기.위료보지량로공방상위최대일치성,주공방(PA1)화보공방(PA2)채용료동일충CMOS공솔방대기,부개변기편압사기공작재불동모식.CMOS공솔방대기위공작우AB류적량급방대전로,집성료수입화급간필배망락;공분기이급λ/4조제망락재PCB판상실현.재3 V공전,공작빈솔위1.95 GHz시,CMOS공솔방대기수출공솔위23 dBm,증익위16dB,공솔부가효솔(PAE)위30%;Doherty공솔방대기수출공솔위25 dBm,공솔부가효솔위15%.
