微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
5期
333-337
,共5页
潘岭峰%李琪%伊晓燕%樊中朝%王良臣%王军喜
潘嶺峰%李琪%伊曉燕%樊中朝%王良臣%王軍喜
반령봉%리기%이효연%번중조%왕량신%왕군희
发光二极管(LED)%氮化镓(GaN)%干法刻蚀%低损伤%内量子效率
髮光二極管(LED)%氮化鎵(GaN)%榦法刻蝕%低損傷%內量子效率
발광이겁관(LED)%담화가(GaN)%간법각식%저손상%내양자효솔
首先分析了在制作GaN基LED时,采用干法刻蚀技术会对材料的表面和量子阱有源区造成损伤,影响了GaN基LED的内量子效率.针对这个问题,研究实验采用感应耦合等离子反应刻蚀(ICP-RIE)技术,分别选择了氯气/三氯化硼(Cl2/BCl3)气体体系和氯气/氩气(C12/Ar)气体体系,通过优化射频功率、ICP功率、气体流量以及相应的真空度,得到了良好的刻蚀端面,对于材料造成的损伤较低,得到更好的I-V特性.实验结果表明,采用低损伤的偏压功率刻蚀后制作的LED器件,出光功率提升一倍以上,同时采用Cl2/Ar气体体系,改善了器件的I-V特性,有效提高了LED的出光效率.
首先分析瞭在製作GaN基LED時,採用榦法刻蝕技術會對材料的錶麵和量子阱有源區造成損傷,影響瞭GaN基LED的內量子效率.針對這箇問題,研究實驗採用感應耦閤等離子反應刻蝕(ICP-RIE)技術,分彆選擇瞭氯氣/三氯化硼(Cl2/BCl3)氣體體繫和氯氣/氬氣(C12/Ar)氣體體繫,通過優化射頻功率、ICP功率、氣體流量以及相應的真空度,得到瞭良好的刻蝕耑麵,對于材料造成的損傷較低,得到更好的I-V特性.實驗結果錶明,採用低損傷的偏壓功率刻蝕後製作的LED器件,齣光功率提升一倍以上,同時採用Cl2/Ar氣體體繫,改善瞭器件的I-V特性,有效提高瞭LED的齣光效率.
수선분석료재제작GaN기LED시,채용간법각식기술회대재료적표면화양자정유원구조성손상,영향료GaN기LED적내양자효솔.침대저개문제,연구실험채용감응우합등리자반응각식(ICP-RIE)기술,분별선택료록기/삼록화붕(Cl2/BCl3)기체체계화록기/아기(C12/Ar)기체체계,통과우화사빈공솔、ICP공솔、기체류량이급상응적진공도,득도료량호적각식단면,대우재료조성적손상교저,득도경호적I-V특성.실험결과표명,채용저손상적편압공솔각식후제작적LED기건,출광공솔제승일배이상,동시채용Cl2/Ar기체체계,개선료기건적I-V특성,유효제고료LED적출광효솔.
