稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2005年
2期
275-278
,共4页
裴素华%孙海波%修显武%张晓华%江玉清
裴素華%孫海波%脩顯武%張曉華%江玉清
배소화%손해파%수현무%장효화%강옥청
Ga%SiO2-Si结构%浓度分布
Ga%SiO2-Si結構%濃度分佈
Ga%SiO2-Si결구%농도분포
用H2和Ga2O3的高温反应形成元素Ga的恒定表面源,通过SiO2-Si复合结构实现了Ga在Si中的高均匀性掺杂;利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法,对P型杂质Ga在SiO2薄膜、SiO2-Si两固相接触的内界面、近Si表面的热分布进行分析;揭示出开管方式扩散Ga的实质是由SiO2薄膜对Ga原子的快速输运及其在SiO2-Si内界面分凝效应两者统一的必然结果;并对该过程Ga杂质浓度分布机理进行了分析和讨论.
用H2和Ga2O3的高溫反應形成元素Ga的恆定錶麵源,通過SiO2-Si複閤結構實現瞭Ga在Si中的高均勻性摻雜;利用二次離子質譜分析(SIMS)、擴展電阻(SRP)、四探針測試等方法,對P型雜質Ga在SiO2薄膜、SiO2-Si兩固相接觸的內界麵、近Si錶麵的熱分佈進行分析;揭示齣開管方式擴散Ga的實質是由SiO2薄膜對Ga原子的快速輸運及其在SiO2-Si內界麵分凝效應兩者統一的必然結果;併對該過程Ga雜質濃度分佈機理進行瞭分析和討論.
용H2화Ga2O3적고온반응형성원소Ga적항정표면원,통과SiO2-Si복합결구실현료Ga재Si중적고균균성참잡;이용이차리자질보분석(SIMS)、확전전조(SRP)、사탐침측시등방법,대P형잡질Ga재SiO2박막、SiO2-Si량고상접촉적내계면、근Si표면적열분포진행분석;게시출개관방식확산Ga적실질시유SiO2박막대Ga원자적쾌속수운급기재SiO2-Si내계면분응효응량자통일적필연결과;병대해과정Ga잡질농도분포궤리진행료분석화토론.
