四川大学学报（自然科学版）
四川大學學報（自然科學版）
사천대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
2006年
3期
622-626
,共5页
张盛华%卢铁城%敦少博%胡强%赵建君%何捷
張盛華%盧鐵城%敦少博%鬍彊%趙建君%何捷
장성화%로철성%돈소박%호강%조건군%하첩
锗纳米晶%电输运%低温电导
鍺納米晶%電輸運%低溫電導
타납미정%전수운%저온전도
利用离子注入然后退火的方法制备了镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合薄膜,从拉曼散射和透射电镜测量了解到薄膜中镶嵌有5～7nm大小的锗纳米晶层.研究了锗纳米晶层在常温和低温下的电输运性质.结果表明:锗纳米晶在100K～300K温度范围内符合莫特变程跳跃电导(VRH)导电,100K以下的低温电导基本上是一常数,导电主要是电子在相邻纳米晶之间的直接跃迁;经退火可消除离子注入引入的缺陷,能增加薄膜的电导;对由3×1017cm-2注量锗离子注入制备的薄膜观察到半导体向金属导电的转变.
利用離子註入然後退火的方法製備瞭鑲嵌有鍺納米晶的二氧化硅複閤薄膜,從拉曼散射和透射電鏡測量瞭解到薄膜中鑲嵌有5～7nm大小的鍺納米晶層.研究瞭鍺納米晶層在常溫和低溫下的電輸運性質.結果錶明:鍺納米晶在100K～300K溫度範圍內符閤莫特變程跳躍電導(VRH)導電,100K以下的低溫電導基本上是一常數,導電主要是電子在相鄰納米晶之間的直接躍遷;經退火可消除離子註入引入的缺陷,能增加薄膜的電導;對由3×1017cm-2註量鍺離子註入製備的薄膜觀察到半導體嚮金屬導電的轉變.
이용리자주입연후퇴화적방법제비료양감유타납미정적이양화규복합박막,종랍만산사화투사전경측량료해도박막중양감유5～7nm대소적타납미정층.연구료타납미정층재상온화저온하적전수운성질.결과표명:타납미정재100K～300K온도범위내부합막특변정도약전도(VRH)도전,100K이하적저온전도기본상시일상수,도전주요시전자재상린납미정지간적직접약천;경퇴화가소제리자주입인입적결함,능증가박막적전도;대유3×1017cm-2주량타리자주입제비적박막관찰도반도체향금속도전적전변.
