半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
148-150
,共3页
量子点%量子环%SiGe%MBE
量子點%量子環%SiGe%MBE
양자점%양자배%SiGe%MBE
研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变.从应变的角度解释了量子环的形成机制.研究发现在350℃以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的维持.从动力学的角度解释了低温下覆盖SiGe量子环时其形貌得到维持的原因.
研究瞭640℃部分覆蓋SiGe量子點時量子點嚮量子環的轉變.從應變的角度解釋瞭量子環的形成機製.研究髮現在350℃以下覆蓋量子環時可以使量子環形貌得到很好的維持.從動力學的角度解釋瞭低溫下覆蓋SiGe量子環時其形貌得到維持的原因.
연구료640℃부분복개SiGe양자점시양자점향양자배적전변.종응변적각도해석료양자배적형성궤제.연구발현재350℃이하복개양자배시가이사양자배형모득도흔호적유지.종동역학적각도해석료저온하복개SiGe양자배시기형모득도유지적원인.