物理学报
物理學報
물이학보
2007年
3期
1662-1667
,共6页
陈海峰%郝跃%马晓华%唐瑜%孟志琴%曹艳荣%周鹏举
陳海峰%郝躍%馬曉華%唐瑜%孟誌琴%曹豔榮%週鵬舉
진해봉%학약%마효화%당유%맹지금%조염영%주붕거
栅致漏极泄漏%CMOS%阈值电压%栅漏电压
柵緻漏極洩漏%CMOS%閾值電壓%柵漏電壓
책치루겁설루%CMOS%역치전압%책루전압
对1.4nm超薄栅LDD nMOSFET器件栅致漏极泄漏GIDL(gate-induced drain leakage)应力下的阈值电压退化进行了研究.GIDL应力中热空穴注进LDD区界面处并产生界面态,这导致器件的阈值电压变大.相同栅漏电压VDG下的不同GIDL应力后阈值电压退化量的对数与应力VD/VDG的比值成正比.漏偏压VD不变的不同GIDL应力后阈值电压退化随着应力中栅电压的增大而增大,相同栅偏压VG下的不同GIDL应力后阈值电压退化也随着应力中漏电压的增大而增大,这两种应力情形下退化量在半对数坐标下与应力中变化的电压的倒数成线性关系,它们退化斜率的绝对值分别为0.76和13.5.实验发现器件退化随着应力过程中的漏电压变化远大于随着应力过程中栅电压的变化.
對1.4nm超薄柵LDD nMOSFET器件柵緻漏極洩漏GIDL(gate-induced drain leakage)應力下的閾值電壓退化進行瞭研究.GIDL應力中熱空穴註進LDD區界麵處併產生界麵態,這導緻器件的閾值電壓變大.相同柵漏電壓VDG下的不同GIDL應力後閾值電壓退化量的對數與應力VD/VDG的比值成正比.漏偏壓VD不變的不同GIDL應力後閾值電壓退化隨著應力中柵電壓的增大而增大,相同柵偏壓VG下的不同GIDL應力後閾值電壓退化也隨著應力中漏電壓的增大而增大,這兩種應力情形下退化量在半對數坐標下與應力中變化的電壓的倒數成線性關繫,它們退化斜率的絕對值分彆為0.76和13.5.實驗髮現器件退化隨著應力過程中的漏電壓變化遠大于隨著應力過程中柵電壓的變化.
대1.4nm초박책LDD nMOSFET기건책치루겁설루GIDL(gate-induced drain leakage)응력하적역치전압퇴화진행료연구.GIDL응력중열공혈주진LDD구계면처병산생계면태,저도치기건적역치전압변대.상동책루전압VDG하적불동GIDL응력후역치전압퇴화량적대수여응력VD/VDG적비치성정비.루편압VD불변적불동GIDL응력후역치전압퇴화수착응력중책전압적증대이증대,상동책편압VG하적불동GIDL응력후역치전압퇴화야수착응력중루전압적증대이증대,저량충응력정형하퇴화량재반대수좌표하여응력중변화적전압적도수성선성관계,타문퇴화사솔적절대치분별위0.76화13.5.실험발현기건퇴화수착응력과정중적루전압변화원대우수착응력과정중책전압적변화.
