半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
9期
776-780
,共5页
电感耦合等离子体化学气相淀积%Si薄膜%SiH4浓度%结晶相
電感耦閤等離子體化學氣相澱積%Si薄膜%SiH4濃度%結晶相
전감우합등리자체화학기상정적%Si박막%SiH4농도%결정상
电感耦合等离子体(ICP)是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源,已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用.采用自主设计的ICPCVD设备,在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品.采用多种结构分析手段对样品进行了测试,发现薄膜是非晶相、结晶相和孔隙的混合物,在较低的放电功率下即出现了相当比例的结晶相,对样品电导率和光学带隙的测试也进一步验证了这一结果.
電感耦閤等離子體(ICP)是一種極具髮展前景的低溫高密度等離子體源,已經在大規模集成電路的深亞微米刻蝕和大麵積均勻薄膜的澱積中得到廣汎應用.採用自主設計的ICPCVD設備,在不同的襯底條件和SiH4濃度下製備瞭一繫列的Si薄膜樣品.採用多種結構分析手段對樣品進行瞭測試,髮現薄膜是非晶相、結晶相和孔隙的混閤物,在較低的放電功率下即齣現瞭相噹比例的結晶相,對樣品電導率和光學帶隙的測試也進一步驗證瞭這一結果.
전감우합등리자체(ICP)시일충겁구발전전경적저온고밀도등리자체원,이경재대규모집성전로적심아미미각식화대면적균균박막적정적중득도엄범응용.채용자주설계적ICPCVD설비,재불동적츤저조건화SiH4농도하제비료일계렬적Si박막양품.채용다충결구분석수단대양품진행료측시,발현박막시비정상、결정상화공극적혼합물,재교저적방전공솔하즉출현료상당비례적결정상,대양품전도솔화광학대극적측시야진일보험증료저일결과.
