微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
6期
322-325,333
,共5页
李亮%潘宏菽%默江辉%陈昊%冯震%杨克武%蔡树军
李亮%潘宏菽%默江輝%陳昊%馮震%楊剋武%蔡樹軍
리량%반굉숙%묵강휘%진호%풍진%양극무%채수군
碳化硅%S波段%功率器件%金属一半导体场效应晶体管,功率密度
碳化硅%S波段%功率器件%金屬一半導體場效應晶體管,功率密度
탄화규%S파단%공솔기건%금속일반도체장효응정체관,공솔밀도
SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点,使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展.采用国产SiC外延片,解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题;针对不同应用背景,研制出总栅宽分别为1、5、15、20 mm系列SiC MESFET样管.在2 GHZ脉冲状态下,300 gs脉宽、10%占空比、20 mm栅宽器件单胞输出功率超过80 W,功率密度大于4 W/mm;15 mm栅宽器件在3.1～3.4 GHZ频带脉冲功率输出超过30 W.该研究结果为SiC器件的实用化奠定了基础.
SiC材料具有寬禁帶、高電子飽和漂移速度、高擊穿電壓、高熱導率和相對低的介電常數等優點,使SiC MESFET在微波功率等方麵的應用得到瞭快速髮展.採用國產SiC外延片,解決瞭歐姆接觸、榦法刻蝕及損傷脩複等一繫列工藝難題;針對不同應用揹景,研製齣總柵寬分彆為1、5、15、20 mm繫列SiC MESFET樣管.在2 GHZ脈遲狀態下,300 gs脈寬、10%佔空比、20 mm柵寬器件單胞輸齣功率超過80 W,功率密度大于4 W/mm;15 mm柵寬器件在3.1～3.4 GHZ頻帶脈遲功率輸齣超過30 W.該研究結果為SiC器件的實用化奠定瞭基礎.
SiC재료구유관금대、고전자포화표이속도、고격천전압、고열도솔화상대저적개전상수등우점,사SiC MESFET재미파공솔등방면적응용득도료쾌속발전.채용국산SiC외연편,해결료구모접촉、간법각식급손상수복등일계렬공예난제;침대불동응용배경,연제출총책관분별위1、5、15、20 mm계렬SiC MESFET양관.재2 GHZ맥충상태하,300 gs맥관、10%점공비、20 mm책관기건단포수출공솔초과80 W,공솔밀도대우4 W/mm;15 mm책관기건재3.1～3.4 GHZ빈대맥충공솔수출초과30 W.해연구결과위SiC기건적실용화전정료기출.
