电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
6期
43-45
,共3页
DC磁控溅射%柔性衬底%ITO薄膜%电阻率%透光率
DC磁控濺射%柔性襯底%ITO薄膜%電阻率%透光率
DC자공천사%유성츤저%ITO박막%전조솔%투광솔
采用直流磁控溅射法在柔性衬底上镀制ITO透明导电薄膜,全面研究了薄膜厚度、氧气流量、溅射速率、溅射气压和镀膜温度等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响.结果表明,当膜厚大于80 nm、氧氩体积比为1∶40、溅射速率为5 nm/min、溅射气压在0.5 Pa左右、镀膜温度为80～160 ℃时, ITO薄膜的光电性能较好,其电阻率小于5×10-4 Ω·cm、可见光透光率大于80%.
採用直流磁控濺射法在柔性襯底上鍍製ITO透明導電薄膜,全麵研究瞭薄膜厚度、氧氣流量、濺射速率、濺射氣壓和鍍膜溫度等工藝條件對ITO薄膜光電性能的影響.結果錶明,噹膜厚大于80 nm、氧氬體積比為1∶40、濺射速率為5 nm/min、濺射氣壓在0.5 Pa左右、鍍膜溫度為80～160 ℃時, ITO薄膜的光電性能較好,其電阻率小于5×10-4 Ω·cm、可見光透光率大于80%.
채용직류자공천사법재유성츤저상도제ITO투명도전박막,전면연구료박막후도、양기류량、천사속솔、천사기압화도막온도등공예조건대ITO박막광전성능적영향.결과표명,당막후대우80 nm、양아체적비위1∶40、천사속솔위5 nm/min、천사기압재0.5 Pa좌우、도막온도위80～160 ℃시, ITO박막적광전성능교호,기전조솔소우5×10-4 Ω·cm、가견광투광솔대우80%.
