电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2011年
3期
29-32
,共4页
刘国柱%陈杰%林丽%许帅%王新胜%吴晓鸫
劉國柱%陳傑%林麗%許帥%王新勝%吳曉鶇
류국주%진걸%림려%허수%왕신성%오효동
超薄氧化层%TDDB%QBD%早期击穿
超薄氧化層%TDDB%QBD%早期擊穿
초박양화층%TDDB%QBD%조기격천
文章简述了超薄氧化层SiO2,的击穿机理,采用了恒定电流法表征超薄氧化层TDDB效应,并研究了清洗方法,氧化温度,氧化方式等工艺因素对超薄氧化层的可靠性影响.实验表明,在850℃、900℃等高温条件下,可通过干氧N/O分压的方法制备厚度4nm~5nm、均一性小于2.0%超薄氧化层;RCA清洗工艺过程中,APM中的NH3·H2O含量过高,会对衬底硅表面产生损伤,致使氧化层的早期失效高,击穿电荷量QBD差;在干氧N/O分压的过程中,采用N,退火,可有效地改善超薄氧化层的致密性,从而提高氧化层QBD.通过实验进行优化,在800℃、O2/DCE、N2退火条件下,可制备5nm氧化层,其可靠性能为:最大击穿电压49.1V,平均击穿电压7.1V,击穿电场16.62MV·cm-1,早期失效率3.85%,击穿电荷量QBD>15C.cm-2点可达61.54%.
文章簡述瞭超薄氧化層SiO2,的擊穿機理,採用瞭恆定電流法錶徵超薄氧化層TDDB效應,併研究瞭清洗方法,氧化溫度,氧化方式等工藝因素對超薄氧化層的可靠性影響.實驗錶明,在850℃、900℃等高溫條件下,可通過榦氧N/O分壓的方法製備厚度4nm~5nm、均一性小于2.0%超薄氧化層;RCA清洗工藝過程中,APM中的NH3·H2O含量過高,會對襯底硅錶麵產生損傷,緻使氧化層的早期失效高,擊穿電荷量QBD差;在榦氧N/O分壓的過程中,採用N,退火,可有效地改善超薄氧化層的緻密性,從而提高氧化層QBD.通過實驗進行優化,在800℃、O2/DCE、N2退火條件下,可製備5nm氧化層,其可靠性能為:最大擊穿電壓49.1V,平均擊穿電壓7.1V,擊穿電場16.62MV·cm-1,早期失效率3.85%,擊穿電荷量QBD>15C.cm-2點可達61.54%.
문장간술료초박양화층SiO2,적격천궤리,채용료항정전류법표정초박양화층TDDB효응,병연구료청세방법,양화온도,양화방식등공예인소대초박양화층적가고성영향.실험표명,재850℃、900℃등고온조건하,가통과간양N/O분압적방법제비후도4nm~5nm、균일성소우2.0%초박양화층;RCA청세공예과정중,APM중적NH3·H2O함량과고,회대츤저규표면산생손상,치사양화층적조기실효고,격천전하량QBD차;재간양N/O분압적과정중,채용N,퇴화,가유효지개선초박양화층적치밀성,종이제고양화층QBD.통과실험진행우화,재800℃、O2/DCE、N2퇴화조건하,가제비5nm양화층,기가고성능위:최대격천전압49.1V,평균격천전압7.1V,격천전장16.62MV·cm-1,조기실효솔3.85%,격천전하량QBD>15C.cm-2점가체61.54%.
