AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究
AlGaN/GaN HEMT격천특성여수주함정상관성연구
Investigation on the Breakdown Character of AlGaN/GaN HEMT with Acceptor Trap
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2007年 3期 226-229 ,共4页

    严地%罗谦%卢盛辉%靳翀%罗大为%周伟%杨谟华

    엄지%라겸%로성휘%근충%라대위%주위%양모화

    铝镓氮%氮化镓%高电子迁移率晶体管%电场%受主陷阱 鋁鎵氮%氮化鎵%高電子遷移率晶體管%電場%受主陷阱
    려가담%담화가%고전자천이솔정체관%전장%수주함정
    通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响.研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减.当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×10(17)cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%.受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端.该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法.
    통과계산구도전장적분포,연구료수주함정대AlGaN/GaN HEMT기건격천특성적영향.연구발현,유수주함정적조건하,루단출현전장봉치,책단전장봉치피대폭도삭감.당Vg=0 V,Vd=60 V,수주함정농도NA=1×10(17)cm-3시,책단전장봉치여불가수주함정시상비가하강도56%.수함정전하영향,당격천전압대우모개전압시,루단전장봉치초과책단전장봉치,차시,격천발생재루단.해방진결과수정료HEMT격천총발생재책단변연처적전통간법.
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