半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
10期
1007-1010
,共4页
增益自举%共源共栅%增益带宽积%输出摆幅%优值%密勒补偿
增益自舉%共源共柵%增益帶寬積%輸齣襬幅%優值%密勒補償
증익자거%공원공책%증익대관적%수출파폭%우치%밀륵보상
设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA).整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器结构作为输出级,以增大运放的输出信号摆幅.该设计采用UMC 0.18μm CMOS工艺,版图面积为320μm×260μm.仿真结果显示:在1.8 V电源供电5 pF负载下,在各个工艺角及温度变化下增益高于120 dB,增益带宽积(GBW)大于800 MHz,而整个运放消耗16.36 mA的电流,FOM值为306 MHz·pF/mA.
設計瞭一箇應用于高精度流水線結構ADC中的高增益、寬頻帶全差分運算跨導放大器(OTA).整體運放採用瞭2級結構,第一級採用套筒共源共柵結構,併結閤增益自舉技術來提高增益;第二級採用共源放大器結構作為輸齣級,以增大運放的輸齣信號襬幅.該設計採用UMC 0.18μm CMOS工藝,版圖麵積為320μm×260μm.倣真結果顯示:在1.8 V電源供電5 pF負載下,在各箇工藝角及溫度變化下增益高于120 dB,增益帶寬積(GBW)大于800 MHz,而整箇運放消耗16.36 mA的電流,FOM值為306 MHz·pF/mA.
설계료일개응용우고정도류수선결구ADC중적고증익、관빈대전차분운산과도방대기(OTA).정체운방채용료2급결구,제일급채용투통공원공책결구,병결합증익자거기술래제고증익;제이급채용공원방대기결구작위수출급,이증대운방적수출신호파폭.해설계채용UMC 0.18μm CMOS공예,판도면적위320μm×260μm.방진결과현시:재1.8 V전원공전5 pF부재하,재각개공예각급온도변화하증익고우120 dB,증익대관적(GBW)대우800 MHz,이정개운방소모16.36 mA적전류,FOM치위306 MHz·pF/mA.
