固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
3期
323-326,440
,共5页
卢盛辉%杜江锋%罗谦%于奇%周伟%夏建新%杨谟华
盧盛輝%杜江鋒%囉謙%于奇%週偉%夏建新%楊謨華
로성휘%두강봉%라겸%우기%주위%하건신%양모화
线性电荷控制解析模型%增强型绝缘栅高电子迁移率晶体管%铝镓氮/氮化镓
線性電荷控製解析模型%增彊型絕緣柵高電子遷移率晶體管%鋁鎵氮/氮化鎵
선성전하공제해석모형%증강형절연책고전자천이솔정체관%려가담/담화가
基于MIS理论和含极化的泊松方程,应用费米能级与二维电子气密度线性近似,并考虑计入了绝缘体/AlGaN界面的陷阱或离子电荷,导出建立了适用于增强型且兼容耗尽型AlGaN/GaN绝缘栅HEMT的线性电荷控制解析模型.研究表明,Insulator/AlGaN界面陷阱密度在1013cm-2数量级;基于该模型的器件转移特性的理论结果与器件的实测转移特性数据比较符合.该模型可望用于器件性能评估和设计优化.
基于MIS理論和含極化的泊鬆方程,應用費米能級與二維電子氣密度線性近似,併攷慮計入瞭絕緣體/AlGaN界麵的陷阱或離子電荷,導齣建立瞭適用于增彊型且兼容耗儘型AlGaN/GaN絕緣柵HEMT的線性電荷控製解析模型.研究錶明,Insulator/AlGaN界麵陷阱密度在1013cm-2數量級;基于該模型的器件轉移特性的理論結果與器件的實測轉移特性數據比較符閤.該模型可望用于器件性能評估和設計優化.
기우MIS이론화함겁화적박송방정,응용비미능급여이유전자기밀도선성근사,병고필계입료절연체/AlGaN계면적함정혹리자전하,도출건립료괄용우증강형차겸용모진형AlGaN/GaN절연책HEMT적선성전하공제해석모형.연구표명,Insulator/AlGaN계면함정밀도재1013cm-2수량급;기우해모형적기건전이특성적이론결과여기건적실측전이특성수거비교부합.해모형가망용우기건성능평고화설계우화.
